Browsing by Author "Doerschel, J."
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- ItemGrundlegende Untersuchungen zur Herstellung perfekter, N-dotierter 4H-SiC-Einkristalle hoher Leitfähigkeit und zum Dotierungseinfluss auf den Waferingprozess : Abschlussbericht(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2003) Siche, D.; Rost, H.-J.; Schulz, D.; Wollweber, J.; Freiberg, A.; Schäbitz, K.; Lux, B.; Wurche, T.; Böttcher, K.; Doerschel, J.; Irmscher, K.; Alex, V.; Wagner, G.[no abstract available]
- ItemTechnologie- und Verfahrensentwicklung zur Abscheidung von p-Siliziumkarbid nach dem Chemical Vapour Deposition (CVD)-Verfahren : Abschlußbericht(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2003) Wagner, Günther; Doerschel, J.; Irmscher, K.; Leitenberger, W.; Lux, Krist B.; Roßberg, M.[no abstract available]