Epitaxie, Herstellung, und Charakterisierung von III-N basierenden Deep-UV LEDs mit Schwerpunkt auf dem UV-B bis UV-C, Teilvorhaben : Projekt-Abschlussbericht ; im Verbundvorhaben: Deep-UV LEDs auf der Basis von (AlGaln)N/GaN Quantenfilmen für den UV-A, UV-B und UV-C Wellenlängenbereich

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2011
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Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB)
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https://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/1062
Citation
Weyers, M., Knauer, A., Einfeldt, S., Rodriguez, H., Kneissl, M., Knüller, V., et al. (2011). Epitaxie, Herstellung, und Charakterisierung von III-N basierenden Deep-UV LEDs mit Schwerpunkt auf dem UV-B bis UV-C, Teilvorhaben : Projekt-Abschlussbericht ; im Verbundvorhaben: Deep-UV LEDs auf der Basis von (AlGaln)N/GaN Quantenfilmen für den UV-A, UV-B und UV-C Wellenlängenbereich (Version publishedVersion). Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB). https://doi.org//10.2314/GBV:729000907
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Ingenieurwissenschaften