Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren (YESvGaN); Teilvorhaben: Rückseiten Chiptechnologie für vertikale GaN on Si Membranleistungstransistoren

Abstract

Ziel des Projektes war die Entwicklung einer Prozesstechnologie für die Herstellung von GaN-basierten vertikalen Membran-Leistungstransistoren in einer massenproduktionstauglichen Fertigungslinie auf 200 mm Wafern. Die X-FAB Global Service GmbH beschäftigte sich mit neu zu entwickelnden Prozessmodulen für die rückseitige Kontaktierung der in den unteren III-V Epitaxieschichten vergrabenen Drainschicht des vertikalen planar-Gate GaN Transistors. Ausgangspunkt waren dabei vorderseitig prozessierte Wafer aus der X-FAB Dresden. Forschungsschwerpunkte der XGS waren zunächst geeignete Technologien - zur Abdünnung der Wafer (ggf. in Kooperation mit Projektpartnern) - zur lokalen Entfernung des Siliziumsubstrates unter Berücksichtigung bzw. Kompensation der mechanischen Verspannungen der Scheiben, - zur Herstellung einer elektrischen Drainkontaktierung sowie der Rückseitenmetallisierung.

Auf dieser Basis sollte es ermöglicht werden, einen Foundry-Prozess zur Fertigung vertikaler GaN-Leistungstransistoren zu entwickeln.