Vertical GaN on silicon: Wide band gap power at silicon cost (YESvGaN)

Abstract

Das Projekt YESvGaN zielt darauf ab, die Technologie einer neuen Klasse von vertikalen GaN-Leistungstransistoren zu entwickeln, die die Performance-Vorteile von existierenden SiC-basierten vertikalen Leistungstransistoren mit den Kostenvorteilen der etablierten Siliziumtechnologie kombiniert. Die Aufgaben des FBH waren in WP2 die Entwicklung von ausreichend dicken GaN-Halbleiterschichten mit 1200 V Sperrfähigkeit auf Saphirsubstraten, in WP3 das Design und die Entwicklung von vertikalen GaN-finFETs sowie deren Herstellungsprozessmodule. Die Aufgabe in WP4 war die Entwicklung einer Substrattransfertechnologie für auf Saphirsubstraten gewachsene GaN-Bauelemente und der Transfer der GaN-basierten Membranbauelemente auf einen leitfähigen Trägerwafer um so einen komplett vertikalen Strompfad in den GaN-Bauelementen zu ermöglichen.