Entwicklung von GaN-Substraten unter Nutzung des HVPE-Verfahrens für die Kristallzüchtung einschließlich der Erhöhung des Dotierniveaus und Übertrag der Technologie auf 3"-Durchmesser (LieGaN); im Verbundvorhaben: Neuartige Leistungselektronik für verbesserte Energieeffizienz (GaN4AP)

Abstract

Das GaN4AP-Projekt umfasste für Freiberger Compound Materials GmbH im Wesentlichen zwei Hauptbereiche: Erstens die Herstellung hochdotierter 2"-GaN-Wafer zur weiteren Verwendung durch die Partner des europäischen Konsortiums und zweitens die Erweiterung des Durchmessers für die Produktion von 3"-GaN-Wafern.