Entwicklung von GaN-Substraten unter Nutzung des HVPE-Verfahrens für die Kristallzüchtung einschließlich der Erhöhung des Dotierniveaus und Übertrag der Technologie auf 3"-Durchmesser (LieGaN); im Verbundvorhaben: Neuartige Leistungselektronik für verbesserte Energieeffizienz (GaN4AP)

dc.contributor.author	Hofmann, Patrick
dc.contributor.author	Doradzinski, Roman
dc.contributor.author	Bastin, Dirk
dc.contributor.author	Jachalke, Sven
dc.date.accessioned	2026-08-07T08:39:08Z
dc.date.available	2026-08-07T08:39:08Z
dc.date.issued	2026-02-25
dc.description.abstract	Das GaN4AP-Projekt umfasste für Freiberger Compound Materials GmbH im Wesentlichen zwei Hauptbereiche: Erstens die Herstellung hochdotierter 2"-GaN-Wafer zur weiteren Verwendung durch die Partner des europäischen Konsortiums und zweitens die Erweiterung des Durchmessers für die Produktion von 3"-GaN-Wafern.	ger
dc.description.version	publishedVersion
dc.identifier.uri	https://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/31395
dc.identifier.uri	https://doi.org/10.34657/30464
dc.language.iso	ger
dc.publisher	Hannover : Technische Informationsbibliothek
dc.relation.affiliation	Freiberger Compound Materials GmbH
dc.rights.license	Creative Commons Attribution-NonDerivs 3.0 Germany
dc.rights.uri	https://creativecommons.org/licenses/by-nd/3.0/de/
dc.subject.ddc	500 \| Naturwissenschaften
dc.title	Entwicklung von GaN-Substraten unter Nutzung des HVPE-Verfahrens für die Kristallzüchtung einschließlich der Erhöhung des Dotierniveaus und Übertrag der Technologie auf 3"-Durchmesser (LieGaN); im Verbundvorhaben: Neuartige Leistungselektronik für verbesserte Energieeffizienz (GaN4AP)	ger
dc.type	Report
dcterms.extent	27 Seiten
dtf.duration	01.06.2021-31.08.2025
dtf.funding.funder	BMFTR
dtf.funding.program	16MEE0202S
tib.accessRights	openAccess

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