Verbundprojekt: Neue Leistungshalbleiter und Hochfrequenzelektronik für moderne energiesparsame Edge-Cloud-Systeme; Teilvorhaben: Technologieverbesserung GaN HEMT GH15

Schlussbericht

dc.contributor.authorSommer, Daniel
dc.date.accessioned2026-05-08T15:47:15Z
dc.date.available2026-05-08T15:47:15Z
dc.date.issued2025
dc.description.abstract[no abstract available]ger
dc.description.versionpublishedVersion
dc.identifier.urihttps://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/36382
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.34657/35450
dc.language.isoger
dc.publisherHannover : Technische Informationsbibliothek
dc.relation.affiliationUnited Monolithic Semiconductors GmbH
dc.rights.licenseCreative Commons Attribution-NonDerivs 3.0 Germany
dc.subject.ddc000 | Informatik, Information und Wissen, allgemeine Werke
dc.titleVerbundprojekt: Neue Leistungshalbleiter und Hochfrequenzelektronik für moderne energiesparsame Edge-Cloud-Systeme; Teilvorhaben: Technologieverbesserung GaN HEMT GH15ger
dc.title.subtitleSchlussbericht
dc.typeReport
dcterms.event.date01.01.2022-31.12.2024
dcterms.extent21 Seiten
dtf.funding.funderBMFTR
dtf.funding.program16ME0418
dtf.funding.verbundnummer01242485
tib.accessRightsopenAccess

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