This document may be downloaded, read, stored and printed for your own use within the limits of § 53 UrhG but it may not be distributed via the internet or passed on to external parties.Dieses Dokument darf im Rahmen von § 53 UrhG zum eigenen Gebrauch kostenfrei heruntergeladen, gelesen, gespeichert und ausgedruckt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden.Siche, D.Rost, H.-J.Schulz, D.Wollweber, J.Freiberg, A.Schäbitz, K.Lux, B.Wurche, T.Böttcher, K.Doerschel, J.Irmscher, K.Alex, V.Wagner, G.2016-03-242019-06-282003https://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/1126[no abstract available]ger620Grundlegende Untersuchungen zur Herstellung perfekter, N-dotierter 4H-SiC-Einkristalle hoher Leitfähigkeit und zum Dotierungseinfluss auf den Waferingprozess : AbschlussberichtReport