Statistics for GaN-Epitaxie, Prozesstechnologie und Aufbautechnik : Abschlussbericht ; Wachstumskern Berlin WideBaSe, Verbundprojekt 7: Hocheffiziente Leistungs-Mikrowellenverstärker und Oszillatoren, Teilprojekt 7.3: GaN-Epitaxie, Prozesstechnologie und Aufbautechnik ; Berichtslaufzeit: 01.07.2010 bis 31.12.2013
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| GaN-Epitaxie, Prozesstechnologie und Aufbautechnik : Abschlussbericht ; Wachstumskern Berlin WideBaSe, Verbundprojekt 7: Hocheffiziente Leistungs-Mikrowellenverstärker und Oszillatoren, Teilprojekt 7.3: GaN-Epitaxie, Prozesstechnologie und Aufbautechnik ; Berichtslaufzeit: 01.07.2010 bis 31.12.2013 | 0 |
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