Browsing by Author "Jantsch, Wolfgang"

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    Strong confinement-induced engineering of the g factor and lifetime of conduction electron spins in Ge quantum wells
    ([London] : Nature Publishing Group UK, 2016) Giorgioni, Anna; Paleari, Stefano; Cecchi, Stefano; Vitiello, Elisa; Grilli, Emanuele; Isella, Giovanni; Jantsch, Wolfgang; Fanciulli, Marco; Pezzoli, Fabio
    Control of electron spin coherence via external fields is fundamental in spintronics. Its implementation demands a host material that accommodates the desirable but contrasting requirements of spin robustness against relaxation mechanisms and sizeable coupling between spin and orbital motion of the carriers. Here, we focus on Ge, which is a prominent candidate for shuttling spin quantum bits into the mainstream Si electronics. So far, however, the intrinsic spin-dependent phenomena of free electrons in conventional Ge/Si heterojunctions have proved to be elusive because of epitaxy constraints and an unfavourable band alignment. We overcome these fundamental limitations by investigating a two-dimensional electron gas in quantum wells of pure Ge grown on Si. These epitaxial systems demonstrate exceptionally long spin lifetimes. In particular, by fine-tuning quantum confinement we demonstrate that the electron Landé g factor can be engineered in our CMOS-compatible architecture over a range previously inaccessible for Si spintronics.
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    Verdampfungsuntersuchungen in den Systemen Cr₂O₃, MgO - Cr₂O₃ und SiO₂ - Al₂O₃ - ZrO₂ mit einem HF - Plasmabrenner
    (Offenbach : Verlag der Deutschen Glastechnischen Gesellschaft, 1978) Kessler, Walther; Jantsch, Wolfgang; Gebhardt, Franz; Majdič, Aleksander
    Um die Reaktionen der feuerfesten Baustoffe in den Regenerativkammern und dem Oberbau von Glaswannen kennenzulernen, sind in Fortführung zu den bereits erfolgten Untersuchungen dynamische Verflüchtigungsversuche an Chromoxid, an Magnesiochromhen sowie an schmelzgegossenen Steinen des Systems SiO₂-Al₂O₃-ZrO₂ durchgeführt worden. Die Versuche erfolgten unter praxisnahen Bedingungen in Gegenwart von Wasserdampf und oxidierenden bzw. reduzierenden Atmosphären. Bei Chromoxid und im System MgO-Cr₂O₃ steigt die Verflüchtigungsrate mit zunehmender Temperatur sowie zunehmendem O₂- und H₂O-Partialdruck. Im System SiO₂-Al₂O₃-ZrO₂ nimmt die Verflüchtigung mit zunehmendem O₂-Partialdruck ab; in Gegenwart von Wasserdampf wird SiO₂ bevorzugt abgebaut. Investigations of volatilization in the Systems Cr₂O₃, MgO-Cr₂O₃ and SiO₂-Al₂O₃-ZrO₂ using a high frequency plasma torch To aid understanding of the reactions of refractory materials in regenerators and the superstructures of glass tanks, investigations have been extended to make dynamic evaporation experiments on chrome oxide, chrome magnesites and fusion cast blocks in the system SiO₂-Al₂O₃-ZrO₂. The experiments were made in conditions approaching those found in practice with the presence of water vapour in both oxidizing and reducing atmospheres. Evaporation rate increased whh increasing temperature and higher partial pressures of both O₂ and H₂O for Cr₂O₃ and MgO-Cr₂O₃. In the system SiO₂-Al₂O₃-ZrO₂ evaporation decreased as O₂ partial pressure increased; in the presence of water vapour silica was preferentially removed. Etudes de la volatilisation dans les systèmes Cr₂O₃, MgO-Cr₂O₃ et SiO₂-Al₂O₃-ZrO₂ à l'aide d'un chalumeau à plasma HF On a effectué des essais dynamiques de volatilisation sur des réfractaires d'oxyde chromique, de chrome-magnésie et sur des réfractaires électrofondus du système SiO₂-Al₂O₃-ZrO₂. Ces essais font suite aux essais effectués antérieurement et permettent d'obtenir des renseignements sur la réactivité des matériaux réfractaires dans les chambres de régénération et la superstructure des fours à bassin. Les essais se font dans des conditions proches des conditions de service réelles en présence de vapeur d'eau et dans des atmosphères oxydantes et réductrices. Pour l'oxyde de chrome et le système MgO-Cr₂O₃ le taux de volatilisation augmente avec la température et la pression partielle d'O₂ et de H₂O. Dans le système SiO₂-Al₂O₃-ZrO₂, la volatilisation diminue quand la pression partielle d'O₂ augmente; on constate la dégradation de SiO₂ de préférence en présence de vapeur d'eau.