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Simulation of microwave circuits and laser structures including PML by means of FIT

2004, Hebermehl, G., Schefter, J., Schlundt, R., Tischler, Th., Zscheile, H., Heinrich, W.

Field-oriented methods which describe the physical properties of microwave circuits and optical structures are an indispensable tool to avoid costly and time-consuming redesign cycles. Commonly the electromagnetic characteristics of the structures are described by the scattering matrix which is extracted from the orthogonal decomposition of the electric field. The electric field is the solution of an eigenvalue and a boundary value problem for Maxwell’s equations in the frequency domain. We discretize the equations with staggered orthogonal grids using the Finite Integration Technique (FIT). Maxwellian grid equations are formulated for staggered nonequidistant rectangular grids and for tetrahedral nets with corresponding dual Voronoi cells. The interesting modes of smallest attenuation are found solving a sequence of eigenvalue problems of modified matrices. To reduce the execution time for high-dimensional problems a coarse and a fine grid is used. The calculations are carried out, using two levels of parallelization. The discretized boundary value problem, a large-scale system of linear algebraic equations with different right-hand sides, is solved by a block Krylov subspace method with various preconditioning techniques. Special attention is paid to the Perfectly Matched Layer boundary condition (PML) which causes non physical modes and a significantly increased number of iterations in the iterative methods.

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Technologie- und Epitaxieentwicklung von AlGaN/GaN HFETs: Materialgüte, innovative Prozesstechnologie und Zuverlässigkeit : Schlussbericht

2007, Würfl, J., Behtash, R., Gesche, R., Janke, B., Klockenhoff, H., Krüger, O., Lossy, R., Chaturvedi, N., Heinrich, W., Knigge, St., Liero, A., Mai, M.

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Förderschwerpunkt NOVALAS : Grundlegende Untersuchungen zur Technologie von Hochleistungsdiodenlasern, Teilvorhaben: Hochleistungsdiodenlaser auf der Basis von Al-freien Quantengräben und Wellenleitern im Wellenlängenbereich 800 - 1000 nm ; Schlussbericht

2001, Erbert, G., Beister, G., Brade, P., Fechner, I., Fredrich, D., Fricke, J., Gielow, M., Hülsewede, R., Klein, A., Krause, A., Knauer, A., Maege, J., Pittroff, W., Olschewsky, R., Rechenberg, I., Ressel, P., Sebastian, J., Selent, R., Staske, R., Schulze, H., Sumpf, B, Tessaro, T., Vogel, K., Wenzel, H., Wiechmann, S., Weyers, M., Würfel, J., Wochatz, P.

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Optimierte Integration für Hochfrequenzsysteme : HF-Design des Multichip-Aufbaus und messtechnische Charakterisierung ; Schlussbericht ; Laufzeit: 1.12.1995 - 30.11.1999

2000, Janke, B., Schmückle, F.-J., Lenk, F.

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Förderschwerpunkt Laser 2000: Grundlegende Untersuchungen zur hochgenauen, berührungslosen laserinterferometrischen Messung großer Längen im Maschinenbau, Teilvorhaben: Grundlegende Untersuchungen leistungsstarker durchstimmbarer Halbleiterlaserdioden : Schlußbericht

2000, Erbert, G., Brugge, F., Fechner, I., Fredrich, D., Gielow, M., Hofmann, L., Klehr, A., Klein, A., Krause, A., Knauer, A., Olschewsky, R., Oster, A., Rechenberg, I., Ressel, P., Sebastian, J., Selent, R., Smirnitzki, V., Tessaro, T., Thiemann, M., Thies, A., Vogel, K., Wenzel, H., Weyers, M., Würfel, J., Wochatz, P.

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Mehr-Sektions DBR-Laser mit einstellbarem sättigbarem Absorber zur Erzeugung kurzer Impulse mit hoher Leistung und geringem Chirp für die Frei-Raum Kommunikation : Abschlussbericht ; Berichtszeitraum: 15.4.2000 - 30.6.2004

2004, Hasler, Karl Heinz, Wenzel, Hans, Klehr, Andreas, Knauer, Arne, Fricke, Jörg, Janke, Bernd, Erbert, Götz, Schwertfeger, Sven

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Rauscharme Oscillatoren und Leistungsverstärker mit GaAs-HBT-MMICs : Schlussbericht

2004, Heinrich, W., Bergunde, Thomas, Kurpas, Paul, Lenk, Friedrich, Schmückle, Franz-Josef

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Hochbitratige Schaltungen mit InP-HBTs : Schlussbericht

2005, Heinrich, W., Brunner, F., Kurpas, P., Meliani, C., Rudolph, M., Sidorov, V., Würfl, J.

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Förderschwerpunkt: Wide Band Gap-Halbleiter, Teilvorhaben: GaN-Hochfrequenzelektronik : Abschlussbericht

2003, Würfl, J., Chaturvedi, N., Heymann, P., Janke, B., Klockenhoff, H., Lossy, R., Schnieder, F., Wolter, P., Hamma, G., Ickert, K., John, W., Liero, A., Mai, M., Wittrich, H.

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Herstellung von GaN-Substraten durch Hydrid-Gasphasenepitaxie : Projekt-Abschlussbericht ; Projekt FBH 9112 ; GaN-HVPE

2006, Weyers, M., Richter, E., Hennig, Ch., Neumann, C., Fink, O.

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