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- ItemOptimierte Integration für Hochfrequenzsysteme : HF-Design des Multichip-Aufbaus und messtechnische Charakterisierung ; Schlussbericht ; Laufzeit: 1.12.1995 - 30.11.1999(Berlin : Ferdinand-Braun-Institut, 2000) Janke, B.; Schmückle, F.-J.; Lenk, F.[no abstract available]
- ItemEntwicklung von Epitaxieprozessen und Prozessierungsschritten für Leistungs-LEDs 300 - 350 nm : Projekt-Abschlussbericht ; Wachstumskern Berlin WideBaSe, Verbundprojekt 1: Leistungs-LEDs 300 - 350 nm, Teilprojekt C: Entwicklung von Epitaxieprozessen und Prozessierungsschritten für Leistungs-LEDs 300 - 350 nm ; Berichtszeitraum: 01.07.2010 - 31.06.2013(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2013) Knauer, A.; Küller, V.; Einfeldt, S.[no abstract available]
- ItemMode competition in broad-ridge-waveguide lasers(Bristol : IOP Publ., 2020) Koester, J.-P.; Putz, A.; Wenzel, H.; Wünsche, H.-J.; Radziunas, M.; Stephan, H.; Wilkens, M.; Zeghuzi, A.; Knigge, A.The lateral brightness achievable with high-power GaAs-based laser diodes having long and broad waveguides is commonly regarded to be limited by the onset of higher-order lateral modes. For the study of the lateral-mode competition two complementary simulation tools are applied, representing different classes of approximations. The first tool bases on a completely incoherent superposition of mode intensities and disregards longitudinal effects like spatial hole burning, whereas the second tool relies on a simplified carrier transport and current flow. Both tools yield agreeing power-current characteristics that fit the data measured for 5-23 µm wide ridges. Also, a similarly good qualitative conformance of the near and far fields is found. However, the threshold of individual modes, the partition of power between them at a given current, and details of the near and far fields show differences. These differences are the consequence of a high sensitivity of the mode competition to details of the models and of the device structure. Nevertheless, it can be concluded concordantly that the brightness rises with increasing ridge width irrespective of the onset of more and more lateral modes. The lateral brightness W mm-1at 10 MW cm-2 power density on the front facet of the investigated laser with widest ridge (23 µm) is comparable with best values known from much wider broad-area lasers. In addition, we show that one of the simulation tools is able to predict beam steering and coherent beam coupling without introducing any phenomenological coupling coefficient or asymmetries. © 2020 The Author(s). Published by IOP Publishing Ltd.
- ItemCrysGaN - Grundlagenentwicklung HVPE, Substrattest und -charakterisierung : Schlussbericht(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2010) Richter, E.; Weyers, Markus; Gründer, M.; Brunner, F.; Hennig, Ch.; Wernicke, T; Einfeldt, S.; Hartmann, M.; Neumann, C.[no abstract available]
- ItemHighly linear fundamental up-converter in InP DHBT technology for W-band applications(New York, NY [u.a.] : Wiley, 2020) Hossain, Maruf; Stoppel, Dimitri; Boppel, Sebastian; Heinrich, Wolfgang; Krozer, ViktorA fundamental up-converter with high linearity is presented, realized as full Gilbert cell (GC) mixer using a 800 nm transferred substrate (TS) InP-DHBT technology. The LO input of the Gilbert cell conducts from 75 to 100 GHz and requires 5 dBm of input power. The GC attains a single sideband (SSB) conversion gain of 10 ± 1 dB within the frequency from 82 to 95 GHz with a saturated output power of -1 dBm at 86 GHz and >5 dB conversion gain between 75 and 100 GHz. The up-converter exhibits 25 GHz of IF bandwidth. The DC power consumption is only 51 mW. © 2020 The Authors. Microwave and Optical Technology Letters published by Wiley Periodicals, Inc.
- ItemBereitstellung von Standards für Zusammensetzung und Dotierung von AIGaN und AIIGaN : Projekt-Abschlussbericht ; Projekt FBH 9259 ; Wachstumkern Berlin WideBaSe ; Verbundprojekt 6: Quantitative Analytik für AIInGaN-Schichtstrukturen, Teilprojekt 2: Bereitstellung von Standards für Zusammensetzung und Dotierung von AIGaN und AIInGaN ; Projektlaufzeit: 01.07.2010 bis 31.06.2013(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2013) Brunner, F.[no abstract available]
- ItemWirtschaft trifft Wissenschaft: Leibniz-Transferverbund Mikroelektronik : Schlussbericht(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2011) Kerl, Ralf[no abstract available]
- ItemGaN Dioden und selbstsperrende GaN Schalttransistoren für effiziente Leistungswandler (GaN Powerswitch) : Verbundprojekt Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotentiale (PowerGaNPlus) ; im BMBF Verbundvorhaben Leistungselektronik zur Energieeffizienz-Steigerung (LES) ; Laufzeit des Vorhabens: 1.06.2010 bis 31.05.2013(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2014) Hilt, OliverEs wurden GaN-basierte laterale Dioden mit geringer Einsatzspannung und intrinsisch selbstsperrende Transistoren für den Einsatz in Schaltkonvertern realisiert. Transisorergebnisse: - Basierend auf dem p-GaN-Gate Modul wurden selbstsperrende 100 m / 600 V Transistoren mit 1 V Einsatzspannung realisiert. - Durch den Einsatz eines eisendotierten GaN-Puffers konnte die Erhöhung des dynamischen Einschaltwiderstands für das 250 V Schalten auf den Faktor 2.6 reduziert werden. - Die Schaltverluste sind kleiner als für Si-basierte Superjunction MOSFETs. Diodenergebnisse: - Durch die Entwicklung des zurückgesetzten Anodenkontaktes konnten 300 m / 600 V Dioden mit 0.5 V Einsatzspannung realisiert werden. - Die Schaltverluste sind so klein wie bei SiC-basierten HV-Schottkydioden. - Die Dioden wurden erfolgreich im Boost-Konverter (Systemdemonstrator) der Uni Erlangen eingesetzt.
- ItemWachstumskern "Berlin WideBaSe", Tagung: Technologie und Anwendung von Nitrid-Halbleitern : Schlussbericht ; Laufzeit des Vorhabens: 01.05.2011 bis 30.11.2011(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2011) Hübener, Nicolas; Jacobs, Klaus; Sommer, Britta[no abstract available]
- ItemEntwicklung und Erprobung neuer Instrumente zur Bildung von Verwertungs- und Transfernetzen innerhalb der Leibniz-Gemeinschaft: Leibniz WideBaSe Research : Abschlussbericht(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2009) Weyers, Markus; Brunner, F.; Hübener, N.; Knauer, A.; Küller, V.; Petzke, T.; Reentilä, O.; Tessaro, T.; Wollweber, J.; Hartmann, C.; Dittmar, A.; Nitschke, A.; Ziem, M.; Lange, P.; Jendritzki, U.[no abstract available]