2012, Tränkle, G., Erbert, G., Wicht, A., Luvsandamdin, E.

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2012, Tränkle, G., Erbert, G., Wicht, A., Spiessberger, S.

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2007, Würfl, J., Behtash, R., Gesche, R., Janke, B., Klockenhoff, H., Krüger, O., Lossy, R., Chaturvedi, N., Heinrich, W., Knigge, St., Liero, A., Mai, M.

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2011, Kerl, Ralf

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2014, Hilt, Oliver

Es wurden GaN-basierte laterale Dioden mit geringer Einsatzspannung und intrinsisch selbstsperrende Transistoren für den Einsatz in Schaltkonvertern realisiert. Transisorergebnisse: - Basierend auf dem p-GaN-Gate Modul wurden selbstsperrende 100 m / 600 V Transistoren mit 1 V Einsatzspannung realisiert. - Durch den Einsatz eines eisendotierten GaN-Puffers konnte die Erhöhung des dynamischen Einschaltwiderstands für das 250 V Schalten auf den Faktor 2.6 reduziert werden. - Die Schaltverluste sind kleiner als für Si-basierte Superjunction MOSFETs. Diodenergebnisse: - Durch die Entwicklung des zurückgesetzten Anodenkontaktes konnten 300 m / 600 V Dioden mit 0.5 V Einsatzspannung realisiert werden. - Die Schaltverluste sind so klein wie bei SiC-basierten HV-Schottkydioden. - Die Dioden wurden erfolgreich im Boost-Konverter (Systemdemonstrator) der Uni Erlangen eingesetzt.

2011, Weyers, M., Knauer, A., Einfeldt, Sven, Rodriguez, Hernan, Kneissl, M., Knüller, V., Tessaro, T., Petzke, T

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2010, Niehardt, Frank, Grzeganek, Merit, Häckel, Marko, Haselton, Kirk, Kerl, Ralf, Sauer, Franziska

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2008, Klehr, Andreas, Zorn, Martin, Weyers, M., Erbert, G., Fricke, J., Knauer, A., Pittroff, W., Staske, R., Wenzel, H., Zeimer, U.

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2005, Heinrich, W., Brunner, F., Kurpas, P., Meliani, C., Rudolph, M., Sidorov, V., Würfl, J.

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2010, Würfl, Joachim, Wentzel, Andreas, Heinrich, Wolfgang, Meliani, Chafik, Lossy, Richard

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