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    Highly linear fundamental up-converter in InP DHBT technology for W-band applications
    (New York, NY [u.a.] : Wiley, 2020) Hossain, Maruf; Stoppel, Dimitri; Boppel, Sebastian; Heinrich, Wolfgang; Krozer, Viktor
    A fundamental up-converter with high linearity is presented, realized as full Gilbert cell (GC) mixer using a 800 nm transferred substrate (TS) InP-DHBT technology. The LO input of the Gilbert cell conducts from 75 to 100 GHz and requires 5 dBm of input power. The GC attains a single sideband (SSB) conversion gain of 10 ± 1 dB within the frequency from 82 to 95 GHz with a saturated output power of -1 dBm at 86 GHz and >5 dB conversion gain between 75 and 100 GHz. The up-converter exhibits 25 GHz of IF bandwidth. The DC power consumption is only 51 mW. © 2020 The Authors. Microwave and Optical Technology Letters published by Wiley Periodicals, Inc.
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    GaN MMICs für Class-S Leistungsverstärker (GaN-Switchmode) : Schlussbericht
    (Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2010) Würfl, Joachim; Wentzel, Andreas; Heinrich, Wolfgang; Meliani, Chafik; Lossy, Richard
    [no abstract available]
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    Versatile high power pulse-laser source for pico- and nanosecond optical pulses
    (London : Institute of Physics, 2020) Liero, Armin; Klehr, Andreas; Knigge, Andrea; Heinrich, Wolfgang
    This paper presents a pulse-laser source for the generation of ps and ns laser pulses with more than 50 W peak output power. The final stages of the drivers use GaN transistors and are capable of switching currents of 0.8 A with 200 ps minimum pulse width and 50 A with 3 ns minimum pulse width. The pulses can be externally triggered by ECL logic. Both single-pulse and pulse train modes are possible.
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    DLR-Projekt mmRadar4Space - Bildgebung und Zielverfolgung mit Millimeterwellen-Radar für Weltraumanwendungen : Schlussbericht ; Laufzeit des Vorhabens: 01.03.2011 - 31.08.2013
    (Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2014) Al-Sawaf, Thualfiqar; Jensen, Thomas; Heinrich, Wolfgang
    Radarbasierte Sensoren im Millimeterwellen-Frequenzbereich bieten hohe Auflösung und gute räumliche Lokalisierung und sind daher als bildgebende und zielverfolgende Sensoren in zukünftigen Raumfahrtprojekten interessant. Dazu ist es notwendig, Ausgangsleistungen um 20 dBm im Frequenzbereich von 70 bis 100 GHz bei gutem Wirkungsgrad bereitzustellen. Mit den verfügbaren Halbleitertechnologien für integrierte Schaltungen (MMICs) ist dies nur eingeschränkt möglich. Deshalb wurde im Rahmen des Vorhabens eine vorhandene Indium-Phosphid-basierte Heterobipolartransistor –Technologie, die das Transfer-Substrat-Prinzip nutzt, auf diese Anforderungen hin weiterentwickelt. Die Arbeiten umfassten zunächst die Stabilisierung des Prozesses sowie die Verbesserung der nichtlinearen Transistormodellierung für den interessierenden Frequenzbereich. Auf dieser Basis wurden Multi-Finger-Transistoren entwickelt, um die Leistungsausbeute pro Einzelelement zu erhöhen. Dazu mussten u.a. neue Designs mit Ballastwiderständen eingeführt werden, um thermisch bedingte Instabilitäten zu verhindern, gleichzeitig aber die Grenzfrequenzen möglichst wenig zu reduzieren. Die damit realisierten W-Band-Verstärker erzielen Ausgangsleistungen bis über 19 dBm und belegen die Eignung des Prozesses für die betrachteten Anwendungen.