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- ItemOrigin of a-plane (Al,Ga)N formation on patterned c-plane AIN/sapphire templates(Milton Park : Taylor & Francis, 2013) Mogilatenko, A.; Kirmse, H.; Hagedorn, S.; Richter, E.; Zeimer, U.; Weyers, M.; Tränkle, G.a-plane (Al,Ga)N layers can be grown on patterned c-plane AlN/sapphire templates with a ridge direction along [1bar 100]Al2O3. Scanning nanobeam diffraction reveals that the formation of a-plane layers can be explained by nucleation of c-plane (Al,Ga)N with [11bar 20](Al,Ga)N
- ItemCrysGaN - Grundlagenentwicklung HVPE, Substrattest und -charakterisierung : Schlussbericht(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2010) Richter, E.; Weyers, Markus; Gründer, M.; Brunner, F.; Hennig, Ch.; Wernicke, T; Einfeldt, S.; Hartmann, M.; Neumann, C.[no abstract available]
- ItemHerstellung von GaN-Substraten durch Hydrid-Gasphasenepitaxie : Projekt-Abschlussbericht ; Projekt FBH 9112 ; GaN-HVPE(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2006) Weyers, M.; Richter, E.; Hennig, Ch.; Neumann, C.; Fink, O.[no abstract available]