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- ItemOrigin of a-plane (Al,Ga)N formation on patterned c-plane AIN/sapphire templates(Milton Park : Taylor & Francis, 2013) Mogilatenko, A.; Kirmse, H.; Hagedorn, S.; Richter, E.; Zeimer, U.; Weyers, M.; Tränkle, G.a-plane (Al,Ga)N layers can be grown on patterned c-plane AlN/sapphire templates with a ridge direction along [1bar 100]Al2O3. Scanning nanobeam diffraction reveals that the formation of a-plane layers can be explained by nucleation of c-plane (Al,Ga)N with [11bar 20](Al,Ga)N
- ItemLASUS - Neuartige Diodenlaser für Präzisionsexperimente unter Schwerelosigkeit : Verbundprojekt: Entwicklung von neuartigen Diodenlasersystemen für Präzisionsexperimente unter Schwerelosigkeit für zukünftige Missionen mit einer Höhenforschungsrakete (LasUS) ; Abschlussbericht ; Berichtszeitraum: 01.04.2009 - 31.03.2012(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2012) Tränkle, G.; Erbert, G.; Wicht, A.; Luvsandamdin, E.[no abstract available]
- ItemKohärente Strahlquelle für die optische Freiraumkommunikation auf der Basis von hybrid integrierten Diodenlasern und Halbleiterlaser-Verstärkern : Abschlussbericht(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2012) Tränkle, G.; Erbert, G.; Wicht, A.; Spiessberger, S.[no abstract available]