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Optimierte Integration für Hochfrequenzsysteme : HF-Design des Multichip-Aufbaus und messtechnische Charakterisierung ; Schlussbericht ; Laufzeit: 1.12.1995 - 30.11.1999
2000, Janke, B., Schmückle, F.-J., Lenk, F.
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Bereitstellung von Standards für Zusammensetzung und Dotierung von AIGaN und AIIGaN : Projekt-Abschlussbericht ; Projekt FBH 9259 ; Wachstumkern Berlin WideBaSe ; Verbundprojekt 6: Quantitative Analytik für AIInGaN-Schichtstrukturen, Teilprojekt 2: Bereitstellung von Standards für Zusammensetzung und Dotierung von AIGaN und AIInGaN ; Projektlaufzeit: 01.07.2010 bis 31.06.2013
2013, Brunner, F.
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Wachstumskern "Berlin WideBaSe", Tagung: Technologie und Anwendung von Nitrid-Halbleitern : Schlussbericht ; Laufzeit des Vorhabens: 01.05.2011 bis 30.11.2011
2011, Hübener, Nicolas, Jacobs, Klaus, Sommer, Britta
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Strategieförderung: Strategische Kooperation zur gemeinsamen Verwertung in Mikrowellentechnik, Optoelektronik und Plasmatechnologie, Kurzbezeichnung: VALORES: Valorisation of Research - Strategic Cooperation of Institutes
2010, Niehardt, Frank, Grzeganek, Merit, Häckel, Marko, Haselton, Kirk, Kerl, Ralf, Sauer, Franziska
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Entwicklung von Epitaxieprozessen und Prozessierungsschritten für Leistungs-LEDs 300 - 350 nm : Projekt-Abschlussbericht ; Wachstumskern Berlin WideBaSe, Verbundprojekt 1: Leistungs-LEDs 300 - 350 nm, Teilprojekt C: Entwicklung von Epitaxieprozessen und Prozessierungsschritten für Leistungs-LEDs 300 - 350 nm ; Berichtszeitraum: 01.07.2010 - 31.06.2013
2013, Knauer, A., Küller, V., Einfeldt, S.
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Wirtschaft trifft Wissenschaft: Leibniz-Transferverbund Mikroelektronik : Schlussbericht
2011, Kerl, Ralf
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Entwicklung und Erprobung neuer Instrumente zur Bildung von Verwertungs- und Transfernetzen innerhalb der Leibniz-Gemeinschaft: Leibniz WideBaSe Research : Abschlussbericht
2009, Weyers, Markus, Brunner, F., Hübener, N., Knauer, A., Küller, V., Petzke, T., Reentilä, O., Tessaro, T., Wollweber, J., Hartmann, C., Dittmar, A., Nitschke, A., Ziem, M., Lange, P., Jendritzki, U.
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CrysGaN - Grundlagenentwicklung HVPE, Substrattest und -charakterisierung : Schlussbericht
2010, Richter, E., Weyers, Markus, Gründer, M., Brunner, F., Hennig, Ch., Wernicke, T, Einfeldt, S., Hartmann, M., Neumann, C.
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GaN Dioden und selbstsperrende GaN Schalttransistoren für effiziente Leistungswandler (GaN Powerswitch) : Verbundprojekt Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotentiale (PowerGaNPlus) ; im BMBF Verbundvorhaben Leistungselektronik zur Energieeffizienz-Steigerung (LES) ; Laufzeit des Vorhabens: 1.06.2010 bis 31.05.2013
2014, Hilt, Oliver
Es wurden GaN-basierte laterale Dioden mit geringer Einsatzspannung und intrinsisch selbstsperrende Transistoren für den Einsatz in Schaltkonvertern realisiert. Transisorergebnisse: - Basierend auf dem p-GaN-Gate Modul wurden selbstsperrende 100 m / 600 V Transistoren mit 1 V Einsatzspannung realisiert. - Durch den Einsatz eines eisendotierten GaN-Puffers konnte die Erhöhung des dynamischen Einschaltwiderstands für das 250 V Schalten auf den Faktor 2.6 reduziert werden. - Die Schaltverluste sind kleiner als für Si-basierte Superjunction MOSFETs. Diodenergebnisse: - Durch die Entwicklung des zurückgesetzten Anodenkontaktes konnten 300 m / 600 V Dioden mit 0.5 V Einsatzspannung realisiert werden. - Die Schaltverluste sind so klein wie bei SiC-basierten HV-Schottkydioden. - Die Dioden wurden erfolgreich im Boost-Konverter (Systemdemonstrator) der Uni Erlangen eingesetzt.
Thermomechanische Optimierung von Chip- und Modulmontage : Projekt-Abschlussbericht ; Projekt FBH 9264 ; Wachstumskern Berlin WideBaSe ; Verbundprojekt 8: Entwicklung und Evaluierung von Gehäusen und optischen Systemen für UV-LED, Teilprojekt 8.C: Thermomechanische Optimierung von Chip- und Modulmontage ; Projektlaufzeit: 01.07.2010 bis 31.06.2013
2013, Zhytnytska, Rimma, Weyers, M.
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