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- ItemOptimierte Integration für Hochfrequenzsysteme : HF-Design des Multichip-Aufbaus und messtechnische Charakterisierung ; Schlussbericht ; Laufzeit: 1.12.1995 - 30.11.1999(Berlin : Ferdinand-Braun-Institut, 2000) Janke, B.; Schmückle, F.-J.; Lenk, F.[no abstract available]
- ItemEntwicklung von Epitaxieprozessen und Prozessierungsschritten für Leistungs-LEDs 300 - 350 nm : Projekt-Abschlussbericht ; Wachstumskern Berlin WideBaSe, Verbundprojekt 1: Leistungs-LEDs 300 - 350 nm, Teilprojekt C: Entwicklung von Epitaxieprozessen und Prozessierungsschritten für Leistungs-LEDs 300 - 350 nm ; Berichtszeitraum: 01.07.2010 - 31.06.2013(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2013) Knauer, A.; Küller, V.; Einfeldt, S.[no abstract available]
- ItemCrysGaN - Grundlagenentwicklung HVPE, Substrattest und -charakterisierung : Schlussbericht(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2010) Richter, E.; Weyers, Markus; Gründer, M.; Brunner, F.; Hennig, Ch.; Wernicke, T; Einfeldt, S.; Hartmann, M.; Neumann, C.[no abstract available]
- ItemStructural and optical properties of (112̅2) InGaN quantum wells compared to (0001) and (112̅0)(Milton Park : Taylor & Francis, 2016) Pristovsek, Markus; Han, Yisong; Zhu, Tongtong; Oehler, Fabrice; Tang, Fengzai; Oliver, Rachel A.; Humphreys, Colin J.; Tytko, Darius; Choi, Pyuck-Pa; Raabe, Dierk; Brunner, Frank; Weyers, MarkusWe benchmarked growth, microstructure and photo luminescence (PL) of (112-2) InGaN quantum wells (QWs) against (0001) and (112-0). In incorporation, growth rate and the critical thickness of (112-2) QWs are slightly lower than (0001) QWs, while the In incorporation on (112-0) is reduced by a factor of three. A small step-bunching causes slight fluctuations of the emission wavelength. Transmission electron microscopy as well as atom probe tomography (APT) found very flat interfaces with little In segregation even for 20% In content. APT frequency distribution analysis revealed some deviation from a random InGaN alloy, but not as severe as for (112-0). The slight deviation of (112-2) QWs from an ideal random alloy did not broaden the 300 K PL, the line widths were similar for (112-2) and (0001) while (112-0) QWs were broader. Despite the high structural quality and narrow PL, the integrated PL signal at 300 K was about 4 lower on (112-2) and more than 10 lower on (112-0).
- ItemBereitstellung von Standards für Zusammensetzung und Dotierung von AIGaN und AIIGaN : Projekt-Abschlussbericht ; Projekt FBH 9259 ; Wachstumkern Berlin WideBaSe ; Verbundprojekt 6: Quantitative Analytik für AIInGaN-Schichtstrukturen, Teilprojekt 2: Bereitstellung von Standards für Zusammensetzung und Dotierung von AIGaN und AIInGaN ; Projektlaufzeit: 01.07.2010 bis 31.06.2013(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2013) Brunner, F.[no abstract available]
- ItemDynamics of micro-integrated external-cavity diode lasers: Simulations, analysis and experiments(Berlin : Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik, 2014) Radziunas, Mindaugas; Tronciu, Vasile Z.; Luvsandamdin, Erdenetsetseg; Kürbis, Christian; Wicht, Andreas; Wenzel, HansThis paper reports the results of numerical and experimental investigations of the dynamics of an external cavity diode laser device composed of a semiconductor laser and a distant Bragg grating, which provides an optical feedback. Due to the influence of the feedback, this system can operate at different dynamic regimes. The traveling wave model is used for simulations and analysis of the nonlinear dynamics in the considered laser device. Based on this model, a detailed analysis of the optical modes is performed, and the stability of the stationary states is discussed. It is shown, that the results obtained from the simulation and analysis of the device are in good agreement with experimental findings.
- ItemWirtschaft trifft Wissenschaft: Leibniz-Transferverbund Mikroelektronik : Schlussbericht(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2011) Kerl, Ralf[no abstract available]
- ItemGaN Dioden und selbstsperrende GaN Schalttransistoren für effiziente Leistungswandler (GaN Powerswitch) : Verbundprojekt Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotentiale (PowerGaNPlus) ; im BMBF Verbundvorhaben Leistungselektronik zur Energieeffizienz-Steigerung (LES) ; Laufzeit des Vorhabens: 1.06.2010 bis 31.05.2013(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2014) Hilt, OliverEs wurden GaN-basierte laterale Dioden mit geringer Einsatzspannung und intrinsisch selbstsperrende Transistoren für den Einsatz in Schaltkonvertern realisiert. Transisorergebnisse: - Basierend auf dem p-GaN-Gate Modul wurden selbstsperrende 100 m / 600 V Transistoren mit 1 V Einsatzspannung realisiert. - Durch den Einsatz eines eisendotierten GaN-Puffers konnte die Erhöhung des dynamischen Einschaltwiderstands für das 250 V Schalten auf den Faktor 2.6 reduziert werden. - Die Schaltverluste sind kleiner als für Si-basierte Superjunction MOSFETs. Diodenergebnisse: - Durch die Entwicklung des zurückgesetzten Anodenkontaktes konnten 300 m / 600 V Dioden mit 0.5 V Einsatzspannung realisiert werden. - Die Schaltverluste sind so klein wie bei SiC-basierten HV-Schottkydioden. - Die Dioden wurden erfolgreich im Boost-Konverter (Systemdemonstrator) der Uni Erlangen eingesetzt.
- ItemWachstumskern "Berlin WideBaSe", Tagung: Technologie und Anwendung von Nitrid-Halbleitern : Schlussbericht ; Laufzeit des Vorhabens: 01.05.2011 bis 30.11.2011(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2011) Hübener, Nicolas; Jacobs, Klaus; Sommer, Britta[no abstract available]
- ItemEntwicklung und Erprobung neuer Instrumente zur Bildung von Verwertungs- und Transfernetzen innerhalb der Leibniz-Gemeinschaft: Leibniz WideBaSe Research : Abschlussbericht(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2009) Weyers, Markus; Brunner, F.; Hübener, N.; Knauer, A.; Küller, V.; Petzke, T.; Reentilä, O.; Tessaro, T.; Wollweber, J.; Hartmann, C.; Dittmar, A.; Nitschke, A.; Ziem, M.; Lange, P.; Jendritzki, U.[no abstract available]