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Effect of electron blocking layer doping and composition on the performance of 310 nm light emitting diodes
The effects of composition and p-doping profile of the AlGaN:Mg electron blocking layer (EBL) in 310 nm ultraviolet B (UV-B) light emitting diodes (LEDs) have been investigated. The carrier injection and internal quantum efficiency of the LEDs were simulated and compared to electroluminescence measurements. The light output power depends strongly on the temporal biscyclopentadienylmagnesium (Cp 2 Mg) carrier gas flow profile during growth as well as on the aluminum profile of the AlGaN:Mg EBL. The highest emission power has been found for an EBL with the highest Cp 2 Mg carrier gas flow and a gradually decreasing aluminum content in direction to the p-side of the LED. This effect is attributed to an improved carrier injection and confinement that prevents electron leakage into the p-doped region of the LED with a simultaneously enhanced carrier injection into the active region.
Strategieförderung: Strategische Kooperation zur gemeinsamen Verwertung in Mikrowellentechnik, Optoelektronik und Plasmatechnologie, Kurzbezeichnung: VALORES: Valorisation of Research - Strategic Cooperation of Institutes
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Halbleiterschichtstrukturen für hocheffiziente spektral stabilisierte Laserstrahlquellen (HessLa) im Rahmen des Verbundprojektes: Verbesserung der spektralen Eigenschaften von Hochleistungsdiodenlasern (SpektraLas) : Schlussbericht ; SpektraLAS/HessLa ; Laufzeit des Vorhabens: 01.09.2008 - 28.02.2012
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Entwicklung, Umsetzung und Professionalisierung eines Verwertungskonzepts am Ferdinand-Braun-Institut mit dem Fokus auf Medizintechnik, Umwelttechnik und Sensorik - MedUSe : Schlussbericht ; Laufzeit: 01.04.2011 bis 31.03.2014, verlängert bis 30.09.2014
Im Vorhaben MedUSe wurde die Zusammenarbeit mit einer externen, fachlich spezialisierten Verwertungsagentur entwickelt und umgesetzt. Aus der Analyse der existierenden Verwertungsaktivitäten wurden die Rahmenbedingungen für eine Aufgabenteilung zwischen dem Forschungsinstitut und der Verwertungsagentur erarbeitet. Es entstanden institutseigene marktbezogene Technologieofferten, die in pilothaften Verwertungsprojekten überprüft und erprobt wurden. Daraus resultierten marktspezifische Erkenntnisse und Anforderungen an den sektoralen Verwertungsprozess in Zusammenarbeit mit einem Verwertungsdienstleister.
Kohärente Strahlquelle für die optische Freiraumkommunikation auf der Basis von hybrid integrierten Diodenlasern und Halbleiterlaser-Verstärkern : Abschlussbericht
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GaN MMICs für Class-S Leistungsverstärker (GaN-Switchmode) : Schlussbericht
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Thermomechanische Optimierung von Chip- und Modulmontage : Projekt-Abschlussbericht ; Projekt FBH 9264 ; Wachstumskern Berlin WideBaSe ; Verbundprojekt 8: Entwicklung und Evaluierung von Gehäusen und optischen Systemen für UV-LED, Teilprojekt 8.C: Thermomechanische Optimierung von Chip- und Modulmontage ; Projektlaufzeit: 01.07.2010 bis 31.06.2013
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Epitaxie, Herstellung, und Charakterisierung von III-N basierenden Deep-UV LEDs mit Schwerpunkt auf dem UV-B bis UV-C, Teilvorhaben : Projekt-Abschlussbericht ; im Verbundvorhaben: Deep-UV LEDs auf der Basis von (AlGaln)N/GaN Quantenfilmen für den UV-A, UV-B und UV-C Wellenlängenbereich
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Wirtschaft trifft Wissenschaft: Leibniz-Transferverbund Mikroelektronik : Schlussbericht
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DLR-Projekt mmRadar4Space - Bildgebung und Zielverfolgung mit Millimeterwellen-Radar für Weltraumanwendungen : Schlussbericht ; Laufzeit des Vorhabens: 01.03.2011 - 31.08.2013
Radarbasierte Sensoren im Millimeterwellen-Frequenzbereich bieten hohe Auflösung und gute räumliche Lokalisierung und sind daher als bildgebende und zielverfolgende Sensoren in zukünftigen Raumfahrtprojekten interessant. Dazu ist es notwendig, Ausgangsleistungen um 20 dBm im Frequenzbereich von 70 bis 100 GHz bei gutem Wirkungsgrad bereitzustellen. Mit den verfügbaren Halbleitertechnologien für integrierte Schaltungen (MMICs) ist dies nur eingeschränkt möglich. Deshalb wurde im Rahmen des Vorhabens eine vorhandene Indium-Phosphid-basierte Heterobipolartransistor –Technologie, die das Transfer-Substrat-Prinzip nutzt, auf diese Anforderungen hin weiterentwickelt. Die Arbeiten umfassten zunächst die Stabilisierung des Prozesses sowie die Verbesserung der nichtlinearen Transistormodellierung für den interessierenden Frequenzbereich. Auf dieser Basis wurden Multi-Finger-Transistoren entwickelt, um die Leistungsausbeute pro Einzelelement zu erhöhen. Dazu mussten u.a. neue Designs mit Ballastwiderständen eingeführt werden, um thermisch bedingte Instabilitäten zu verhindern, gleichzeitig aber die Grenzfrequenzen möglichst wenig zu reduzieren. Die damit realisierten W-Band-Verstärker erzielen Ausgangsleistungen bis über 19 dBm und belegen die Eignung des Prozesses für die betrachteten Anwendungen.