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End date: 2009 × Start date: 2000 × DDC: 620 × Type: report × WGL Institute: FBH ×

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Optimierte Integration für Hochfrequenzsysteme : HF-Design des Multichip-Aufbaus und messtechnische Charakterisierung ; Schlussbericht ; Laufzeit: 1.12.1995 - 30.11.1999

2000, Janke, B., Schmückle, F.-J., Lenk, F.

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Förderschwerpunkt: Wide Band Gap-Halbleiter, Teilvorhaben: GaN-Hochfrequenzelektronik : Abschlussbericht

2003, Würfl, J., Chaturvedi, N., Heymann, P., Janke, B., Klockenhoff, H., Lossy, R., Schnieder, F., Wolter, P., Hamma, G., Ickert, K., John, W., Liero, A., Mai, M., Wittrich, H.

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Förderschwerpunkt Laser 2000: Grundlegende Untersuchungen zur hochgenauen, berührungslosen laserinterferometrischen Messung großer Längen im Maschinenbau, Teilvorhaben: Grundlegende Untersuchungen leistungsstarker durchstimmbarer Halbleiterlaserdioden : Schlußbericht

2000, Erbert, G., Brugge, F., Fechner, I., Fredrich, D., Gielow, M., Hofmann, L., Klehr, A., Klein, A., Krause, A., Knauer, A., Olschewsky, R., Oster, A., Rechenberg, I., Ressel, P., Sebastian, J., Selent, R., Smirnitzki, V., Tessaro, T., Thiemann, M., Thies, A., Vogel, K., Wenzel, H., Weyers, M., Würfel, J., Wochatz, P.

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Mehr-Sektions DBR-Laser mit einstellbarem sättigbarem Absorber zur Erzeugung kurzer Impulse mit hoher Leistung und geringem Chirp für die Frei-Raum Kommunikation : Abschlussbericht ; Berichtszeitraum: 15.4.2000 - 30.6.2004

2004, Hasler, Karl Heinz, Wenzel, Hans, Klehr, Andreas, Knauer, Arne, Fricke, Jörg, Janke, Bernd, Erbert, Götz, Schwertfeger, Sven

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Entwicklung und Erprobung neuer Instrumente zur Bildung von Verwertungs- und Transfernetzen innerhalb der Leibniz-Gemeinschaft: Leibniz WideBaSe Research : Abschlussbericht

2009, Weyers, Markus, Brunner, F., Hübener, N., Knauer, A., Küller, V., Petzke, T., Reentilä, O., Tessaro, T., Wollweber, J., Hartmann, C., Dittmar, A., Nitschke, A., Ziem, M., Lange, P., Jendritzki, U.

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Herstellung von GaN-Substraten durch Hydrid-Gasphasenepitaxie : Projekt-Abschlussbericht ; Projekt FBH 9112 ; GaN-HVPE

2006, Weyers, M., Richter, E., Hennig, Ch., Neumann, C., Fink, O.

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Rauscharme Oscillatoren und Leistungsverstärker mit GaAs-HBT-MMICs : Schlussbericht

2004, Heinrich, W., Bergunde, Thomas, Kurpas, Paul, Lenk, Friedrich, Schmückle, Franz-Josef

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Förderschwerpunkt NOVALAS : Grundlegende Untersuchungen zur Technologie von Hochleistungsdiodenlasern, Teilvorhaben: Hochleistungsdiodenlaser auf der Basis von Al-freien Quantengräben und Wellenleitern im Wellenlängenbereich 800 - 1000 nm ; Schlussbericht

2001, Erbert, G., Beister, G., Brade, P., Fechner, I., Fredrich, D., Fricke, J., Gielow, M., Hülsewede, R., Klein, A., Krause, A., Knauer, A., Maege, J., Pittroff, W., Olschewsky, R., Rechenberg, I., Ressel, P., Sebastian, J., Selent, R., Staske, R., Schulze, H., Sumpf, B, Tessaro, T., Vogel, K., Wenzel, H., Wiechmann, S., Weyers, M., Würfel, J., Wochatz, P.

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Technologie- und Epitaxieentwicklung von AlGaN/GaN HFETs: Materialgüte, innovative Prozesstechnologie und Zuverlässigkeit : Schlussbericht

2007, Würfl, J., Behtash, R., Gesche, R., Janke, B., Klockenhoff, H., Krüger, O., Lossy, R., Chaturvedi, N., Heinrich, W., Knigge, St., Liero, A., Mai, M.

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Hochbitratige Schaltungen mit InP-HBTs : Schlussbericht

2005, Heinrich, W., Brunner, F., Kurpas, P., Meliani, C., Rudolph, M., Sidorov, V., Würfl, J.

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