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Hochbitratige Schaltungen mit InP-HBTs : Schlussbericht
2005, Heinrich, W., Brunner, F., Kurpas, P., Meliani, C., Rudolph, M., Sidorov, V., Würfl, J.
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Rauscharme Oscillatoren und Leistungsverstärker mit GaAs-HBT-MMICs : Schlussbericht
2004, Heinrich, W., Bergunde, Thomas, Kurpas, Paul, Lenk, Friedrich, Schmückle, Franz-Josef
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Technologie- und Epitaxieentwicklung von AlGaN/GaN HFETs: Materialgüte, innovative Prozesstechnologie und Zuverlässigkeit : Schlussbericht
2007, Würfl, J., Behtash, R., Gesche, R., Janke, B., Klockenhoff, H., Krüger, O., Lossy, R., Chaturvedi, N., Heinrich, W., Knigge, St., Liero, A., Mai, M.
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Herstellung von GaN-Substraten durch Hydrid-Gasphasenepitaxie : Projekt-Abschlussbericht ; Projekt FBH 9112 ; GaN-HVPE
2006, Weyers, M., Richter, E., Hennig, Ch., Neumann, C., Fink, O.
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Förderschwerpunkt: Wide Band Gap-Halbleiter, Teilvorhaben: GaN-Hochfrequenzelektronik : Abschlussbericht
2003, Würfl, J., Chaturvedi, N., Heymann, P., Janke, B., Klockenhoff, H., Lossy, R., Schnieder, F., Wolter, P., Hamma, G., Ickert, K., John, W., Liero, A., Mai, M., Wittrich, H.
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Entwicklung und Erprobung neuer Instrumente zur Bildung von Verwertungs- und Transfernetzen innerhalb der Leibniz-Gemeinschaft: Leibniz WideBaSe Research : Abschlussbericht
2009, Weyers, Markus, Brunner, F., Hübener, N., Knauer, A., Küller, V., Petzke, T., Reentilä, O., Tessaro, T., Wollweber, J., Hartmann, C., Dittmar, A., Nitschke, A., Ziem, M., Lange, P., Jendritzki, U.
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