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- ItemMode transitions in distributed-feedback tapered master-oscillator power-amplifier(Berlin : Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik, 2008) Radziunas, Mindaugas; Tronciu, Vasile Z.; Bandelow, Uwe; Lichtner, Mark; Spreemann, Martin; Wenzel, HansTheoretical and experimental investigations have been carried out to study the spectral and spatial behavior of monolithically integrated distributed-feedback tapered master-oscillators power-amplifiers emitting around 973 nm. Introduction of self and cross heating effects and the analysis of longitudinal optical modes allows us to explain experimental results. The results show a good qualitative agreement between measured and calculated characteristics.
- ItemImproving the stability of distributed-feedback tapered master-oscillator power-amplifiers(Berlin : Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik, 2009) Tronciu, Vasile Z.; Lichtner, Mark; Radziunas, Mindaugas; Bandelow, U.; Wenzel, H.We report theoretical results on the wavelength stabilization in distributed-feedback master-oscillator power-amplifiers which are compact semiconductor laser devices capable of emitting a high brilliance beam at an optical power of several Watts. Based on a traveling wave equation model we calculate emitted optical power and spectral maps in dependence on the pump of the power amplifier. We show that a proper choice of the Bragg grating type and coupling coefficient allows to optimize the laser operation, such that for a wide range of injection currents the laser emits a high intensity continuous wave beam.
- ItemLASUS - Neuartige Diodenlaser für Präzisionsexperimente unter Schwerelosigkeit : Verbundprojekt: Entwicklung von neuartigen Diodenlasersystemen für Präzisionsexperimente unter Schwerelosigkeit für zukünftige Missionen mit einer Höhenforschungsrakete (LasUS) ; Abschlussbericht ; Berichtszeitraum: 01.04.2009 - 31.03.2012(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2012) Tränkle, G.; Erbert, G.; Wicht, A.; Luvsandamdin, E.[no abstract available]
- ItemGaN Dioden und selbstsperrende GaN Schalttransistoren für effiziente Leistungswandler (GaN Powerswitch) : Verbundprojekt Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotentiale (PowerGaNPlus) ; im BMBF Verbundvorhaben Leistungselektronik zur Energieeffizienz-Steigerung (LES) ; Laufzeit des Vorhabens: 1.06.2010 bis 31.05.2013(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2014) Hilt, OliverEs wurden GaN-basierte laterale Dioden mit geringer Einsatzspannung und intrinsisch selbstsperrende Transistoren für den Einsatz in Schaltkonvertern realisiert. Transisorergebnisse: - Basierend auf dem p-GaN-Gate Modul wurden selbstsperrende 100 m / 600 V Transistoren mit 1 V Einsatzspannung realisiert. - Durch den Einsatz eines eisendotierten GaN-Puffers konnte die Erhöhung des dynamischen Einschaltwiderstands für das 250 V Schalten auf den Faktor 2.6 reduziert werden. - Die Schaltverluste sind kleiner als für Si-basierte Superjunction MOSFETs. Diodenergebnisse: - Durch die Entwicklung des zurückgesetzten Anodenkontaktes konnten 300 m / 600 V Dioden mit 0.5 V Einsatzspannung realisiert werden. - Die Schaltverluste sind so klein wie bei SiC-basierten HV-Schottkydioden. - Die Dioden wurden erfolgreich im Boost-Konverter (Systemdemonstrator) der Uni Erlangen eingesetzt.
- ItemEfficient coupling of electro-optical and heat-transport models for broad-area semiconductor lasers(Berlin : Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik, 2018) Radziunas, Mindaugas; Fuhrmann, Jürgen; Zeghuzi, Anissa; Wünsche, Hans-Jürgen; Koprucki, Thomas; Brée, Carsten; Wenzel, Hans; Bandelow, UweIn this work, we discuss the modeling of edge-emitting high-power broad-area semiconductor lasers. We demonstrate an efficient iterative coupling of a slow heat transport (HT) model defined on multiple vertical-lateral laser cross-sections with a fast dynamic electro-optical (EO) model determined on the longitudinal-lateral domain that is a projection of the device to the active region of the laser. Whereas the HT-solver calculates temperature and thermally-induced refractive index changes, the EO-solver exploits these distributions and provides time-averaged field intensities, quasi-Fermi potentials, and carrier densities. All these time-averaged distributions are used repetitively by the HT-solver for the generation of the heat sources entering the HT problem solved in the next iteration step.
- ItemMode transitions in DBR semiconductor lasers: experiments, mode analysis and simulations(Berlin : Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik, 2010) Radziunas, Mindaugas; Hasler, Karl-Heinz; Sumpf, Bernd; Tien, Tran Quoc; Wenzel, HansThe paper is concerned with a general ansatz of a phenomenological evolution model for solid-solid phase transformation kinetics in steel. To model the phase transition of austenite-ferrite, -pearlite or -bainite, a first order nonlinear ordinary differential equation (ODE) is considered. The main goal of this paper is to derive certain conditions for parameters which based on data obtained from transformation diagrams. This leads to a set of independent parameters for which the inverse problem has an unique solution
- ItemVerbundvorhaben Femto-Diode, Teilvorhaben: Halbleiterkomponenten für kompakte Femtosekunden-Laserstrahlquellen : Projekt-Abschlussbericht ; Projekt FBH 9140, HaFemLas ; Abschlussbericht: 1.10.2004 - 30.09.2007(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2008) Klehr, Andreas; Zorn, Martin; Weyers, M.; Erbert, G.; Fricke, J.; Knauer, A.; Pittroff, W.; Staske, R.; Wenzel, H.; Zeimer, U.[no abstract available]
- ItemModeling of current spreading in high-power broad-area lasers and its impact on the lateral far field divergence(Berlin : Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik, 2018) Zeghuzi, Anissa; Radziunas, Mindaugas; Wenzel, Hans; Wünsche, Hans-Jürgen; Bandelow, Uwe; Knigge, AndreaThe effect of current spreading on the lateral farfield divergence of highpower broadarea lasers is investigated with a timedependent model using different descriptions for the injection of carriers into the active region. Most simulation tools simply assume a spatially constant injection current density below the contact stripe and a vanishing current density beside. Within the driftdiffusion approach, however, the injected current density is obtained from the gradient of the quasiFermi potential of the holes, which solves a Laplace equation in the pdoped region if recombination is neglected. We compare an approximate solution of the Laplace equation with the exact solution and show that for the exact solution the highest farfield divergence is obtained. We conclude that an advanced modeling of the profiles of the injection current densities is necessary for a correct description of farfield blooming in broadarea lasers.
- ItemFörderschwerpunkt Laser 2000: Grundlegende Untersuchungen zur hochgenauen, berührungslosen laserinterferometrischen Messung großer Längen im Maschinenbau, Teilvorhaben: Grundlegende Untersuchungen leistungsstarker durchstimmbarer Halbleiterlaserdioden : Schlußbericht(Berlin : Ferdinand-Braun-Institut, 2000) Erbert, G.; Brugge, F.; Fechner, I.; Fredrich, D.; Gielow, M.; Hofmann, L.; Klehr, A.; Klein, A.; Krause, A.; Knauer, A.; Olschewsky, R.; Oster, A.; Rechenberg, I.; Ressel, P.; Sebastian, J.; Selent, R.; Smirnitzki, V.; Tessaro, T.; Thiemann, M.; Thies, A.; Vogel, K.; Wenzel, H.; Weyers, M.; Würfel, J.; Wochatz, P.[no abstract available]
- ItemDynamics of micro-integrated external-cavity diode lasers: Simulations, analysis and experiments(Berlin : Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik, 2014) Radziunas, Mindaugas; Tronciu, Vasile Z.; Luvsandamdin, Erdenetsetseg; Kürbis, Christian; Wicht, Andreas; Wenzel, HansThis paper reports the results of numerical and experimental investigations of the dynamics of an external cavity diode laser device composed of a semiconductor laser and a distant Bragg grating, which provides an optical feedback. Due to the influence of the feedback, this system can operate at different dynamic regimes. The traveling wave model is used for simulations and analysis of the nonlinear dynamics in the considered laser device. Based on this model, a detailed analysis of the optical modes is performed, and the stability of the stationary states is discussed. It is shown, that the results obtained from the simulation and analysis of the device are in good agreement with experimental findings.