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Kohärente Strahlquelle für die optische Freiraumkommunikation auf der Basis von hybrid integrierten Diodenlasern und Halbleiterlaser-Verstärkern : Abschlussbericht
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Technologie- und Epitaxieentwicklung von AlGaN/GaN HFETs: Materialgüte, innovative Prozesstechnologie und Zuverlässigkeit : Schlussbericht
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Wirtschaft trifft Wissenschaft: Leibniz-Transferverbund Mikroelektronik : Schlussbericht
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DLR-Projekt mmRadar4Space - Bildgebung und Zielverfolgung mit Millimeterwellen-Radar für Weltraumanwendungen : Schlussbericht ; Laufzeit des Vorhabens: 01.03.2011 - 31.08.2013
Radarbasierte Sensoren im Millimeterwellen-Frequenzbereich bieten hohe Auflösung und gute räumliche Lokalisierung und sind daher als bildgebende und zielverfolgende Sensoren in zukünftigen Raumfahrtprojekten interessant. Dazu ist es notwendig, Ausgangsleistungen um 20 dBm im Frequenzbereich von 70 bis 100 GHz bei gutem Wirkungsgrad bereitzustellen. Mit den verfügbaren Halbleitertechnologien für integrierte Schaltungen (MMICs) ist dies nur eingeschränkt möglich. Deshalb wurde im Rahmen des Vorhabens eine vorhandene Indium-Phosphid-basierte Heterobipolartransistor –Technologie, die das Transfer-Substrat-Prinzip nutzt, auf diese Anforderungen hin weiterentwickelt. Die Arbeiten umfassten zunächst die Stabilisierung des Prozesses sowie die Verbesserung der nichtlinearen Transistormodellierung für den interessierenden Frequenzbereich. Auf dieser Basis wurden Multi-Finger-Transistoren entwickelt, um die Leistungsausbeute pro Einzelelement zu erhöhen. Dazu mussten u.a. neue Designs mit Ballastwiderständen eingeführt werden, um thermisch bedingte Instabilitäten zu verhindern, gleichzeitig aber die Grenzfrequenzen möglichst wenig zu reduzieren. Die damit realisierten W-Band-Verstärker erzielen Ausgangsleistungen bis über 19 dBm und belegen die Eignung des Prozesses für die betrachteten Anwendungen.
Epitaxie, Herstellung, und Charakterisierung von III-N basierenden Deep-UV LEDs mit Schwerpunkt auf dem UV-B bis UV-C, Teilvorhaben : Projekt-Abschlussbericht ; im Verbundvorhaben: Deep-UV LEDs auf der Basis von (AlGaln)N/GaN Quantenfilmen für den UV-A, UV-B und UV-C Wellenlängenbereich
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Strategieförderung: Strategische Kooperation zur gemeinsamen Verwertung in Mikrowellentechnik, Optoelektronik und Plasmatechnologie, Kurzbezeichnung: VALORES: Valorisation of Research - Strategic Cooperation of Institutes
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Halbleiterschichtstrukturen für hocheffiziente spektral stabilisierte Laserstrahlquellen (HessLa) im Rahmen des Verbundprojektes: Verbesserung der spektralen Eigenschaften von Hochleistungsdiodenlasern (SpektraLas) : Schlussbericht ; SpektraLAS/HessLa ; Laufzeit des Vorhabens: 01.09.2008 - 28.02.2012
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GaN MMICs für Class-S Leistungsverstärker (GaN-Switchmode) : Schlussbericht
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Thermomechanische Optimierung von Chip- und Modulmontage : Projekt-Abschlussbericht ; Projekt FBH 9264 ; Wachstumskern Berlin WideBaSe ; Verbundprojekt 8: Entwicklung und Evaluierung von Gehäusen und optischen Systemen für UV-LED, Teilprojekt 8.C: Thermomechanische Optimierung von Chip- und Modulmontage ; Projektlaufzeit: 01.07.2010 bis 31.06.2013
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