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- ItemEfficient coupling of electro-optical and heat-transport models for broad-area semiconductor lasers(Berlin : Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik, 2018) Radziunas, Mindaugas; Fuhrmann, Jürgen; Zeghuzi, Anissa; Wünsche, Hans-Jürgen; Koprucki, Thomas; Brée, Carsten; Wenzel, Hans; Bandelow, UweIn this work, we discuss the modeling of edge-emitting high-power broad-area semiconductor lasers. We demonstrate an efficient iterative coupling of a slow heat transport (HT) model defined on multiple vertical-lateral laser cross-sections with a fast dynamic electro-optical (EO) model determined on the longitudinal-lateral domain that is a projection of the device to the active region of the laser. Whereas the HT-solver calculates temperature and thermally-induced refractive index changes, the EO-solver exploits these distributions and provides time-averaged field intensities, quasi-Fermi potentials, and carrier densities. All these time-averaged distributions are used repetitively by the HT-solver for the generation of the heat sources entering the HT problem solved in the next iteration step.
- ItemCrysGaN - Grundlagenentwicklung HVPE, Substrattest und -charakterisierung : Schlussbericht(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2010) Richter, E.; Weyers, Markus; Gründer, M.; Brunner, F.; Hennig, Ch.; Wernicke, T; Einfeldt, S.; Hartmann, M.; Neumann, C.[no abstract available]
- ItemTechnologie- und Epitaxieentwicklung von AlGaN/GaN HFETs: Materialgüte, innovative Prozesstechnologie und Zuverlässigkeit : Schlussbericht(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2007) Würfl, J.; Behtash, R.; Gesche, R.; Janke, B.; Klockenhoff, H.; Krüger, O.; Lossy, R.; Chaturvedi, N.; Heinrich, W.; Knigge, St.; Liero, A.; Mai, M.[no abstract available]
- ItemStrategieförderung: Strategische Kooperation zur gemeinsamen Verwertung in Mikrowellentechnik, Optoelektronik und Plasmatechnologie, Kurzbezeichnung: VALORES: Valorisation of Research - Strategic Cooperation of Institutes(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2010) Niehardt, Frank; Grzeganek, Merit; Häckel, Marko; Haselton, Kirk; Kerl, Ralf; Sauer, Franziska[no abstract available]
- ItemFörderschwerpunkt Laser 2000: Grundlegende Untersuchungen zur hochgenauen, berührungslosen laserinterferometrischen Messung großer Längen im Maschinenbau, Teilvorhaben: Grundlegende Untersuchungen leistungsstarker durchstimmbarer Halbleiterlaserdioden : Schlußbericht(Berlin : Ferdinand-Braun-Institut, 2000) Erbert, G.; Brugge, F.; Fechner, I.; Fredrich, D.; Gielow, M.; Hofmann, L.; Klehr, A.; Klein, A.; Krause, A.; Knauer, A.; Olschewsky, R.; Oster, A.; Rechenberg, I.; Ressel, P.; Sebastian, J.; Selent, R.; Smirnitzki, V.; Tessaro, T.; Thiemann, M.; Thies, A.; Vogel, K.; Wenzel, H.; Weyers, M.; Würfel, J.; Wochatz, P.[no abstract available]
- ItemBMBF-Verbundprojekt: Campus PlasmaMed 2, Teilvorhaben: Campus PlasmaMed 9: Projekt: Mikrowellen-Plasmageneratoren : Schlussbericht ; Laufzeit des Vorhabens: 01.01.2011 - 30.09.2013(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2013) Gesche, R.; Bansleben, C.; Porteanu, H.-E.; Heinrich, W.[no abstract available]
- ItemBereitstellung von Standards für Zusammensetzung und Dotierung von AIGaN und AIIGaN : Projekt-Abschlussbericht ; Projekt FBH 9259 ; Wachstumkern Berlin WideBaSe ; Verbundprojekt 6: Quantitative Analytik für AIInGaN-Schichtstrukturen, Teilprojekt 2: Bereitstellung von Standards für Zusammensetzung und Dotierung von AIGaN und AIInGaN ; Projektlaufzeit: 01.07.2010 bis 31.06.2013(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2013) Brunner, F.[no abstract available]
- ItemWirtschaft trifft Wissenschaft: Leibniz-Transferverbund Mikroelektronik : Schlussbericht(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2011) Kerl, Ralf[no abstract available]
- ItemImproving the stability of distributed-feedback tapered master-oscillator power-amplifiers(Berlin : Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik, 2009) Tronciu, Vasile Z.; Lichtner, Mark; Radziunas, Mindaugas; Bandelow, U.; Wenzel, H.We report theoretical results on the wavelength stabilization in distributed-feedback master-oscillator power-amplifiers which are compact semiconductor laser devices capable of emitting a high brilliance beam at an optical power of several Watts. Based on a traveling wave equation model we calculate emitted optical power and spectral maps in dependence on the pump of the power amplifier. We show that a proper choice of the Bragg grating type and coupling coefficient allows to optimize the laser operation, such that for a wide range of injection currents the laser emits a high intensity continuous wave beam.
- ItemDLR-Projekt mmRadar4Space - Bildgebung und Zielverfolgung mit Millimeterwellen-Radar für Weltraumanwendungen : Schlussbericht ; Laufzeit des Vorhabens: 01.03.2011 - 31.08.2013(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2014) Al-Sawaf, Thualfiqar; Jensen, Thomas; Heinrich, WolfgangRadarbasierte Sensoren im Millimeterwellen-Frequenzbereich bieten hohe Auflösung und gute räumliche Lokalisierung und sind daher als bildgebende und zielverfolgende Sensoren in zukünftigen Raumfahrtprojekten interessant. Dazu ist es notwendig, Ausgangsleistungen um 20 dBm im Frequenzbereich von 70 bis 100 GHz bei gutem Wirkungsgrad bereitzustellen. Mit den verfügbaren Halbleitertechnologien für integrierte Schaltungen (MMICs) ist dies nur eingeschränkt möglich. Deshalb wurde im Rahmen des Vorhabens eine vorhandene Indium-Phosphid-basierte Heterobipolartransistor –Technologie, die das Transfer-Substrat-Prinzip nutzt, auf diese Anforderungen hin weiterentwickelt. Die Arbeiten umfassten zunächst die Stabilisierung des Prozesses sowie die Verbesserung der nichtlinearen Transistormodellierung für den interessierenden Frequenzbereich. Auf dieser Basis wurden Multi-Finger-Transistoren entwickelt, um die Leistungsausbeute pro Einzelelement zu erhöhen. Dazu mussten u.a. neue Designs mit Ballastwiderständen eingeführt werden, um thermisch bedingte Instabilitäten zu verhindern, gleichzeitig aber die Grenzfrequenzen möglichst wenig zu reduzieren. Die damit realisierten W-Band-Verstärker erzielen Ausgangsleistungen bis über 19 dBm und belegen die Eignung des Prozesses für die betrachteten Anwendungen.