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- ItemMicromagnetic investigation of domain and domain wall evolution through the spin-reorientation transition of an epitaxial NdCo5 film([London] : IOP, 2017-3-1) Seifert, Marietta; Schultz, Ludwig; Schäfer, Rudolf; Hankemeier, Sebastian; Frömter, Robert; Oepen, Hans Peter; Neu, VolkerThe domain pattern and the domain wall microstructure throughout the spin-reorientation transition of an epitaxial NdCo5 thin film are investigated by micromagnetic simulations. The temperature-dependent anisotropy constants K1 and K2, which define the anisotropy energy term in the model, are chosen to reflect the easy axis—easy cone—easy plane spin-reorientation transition observed in epitaxial NdCo5 thin films. Starting at the high-temperature easy c-axis regime, the anisotropy constants are changed systematically corresponding to a lowering of the temperature of the system. The character of the domain walls and their profiles are analysed. The calculated domain configurations are compared to the experimentally observed temperature-dependent domain structure of an in-plane textured NdCo5 thin film.
- ItemFerromagnet-Halbleiter-Nanodrahtstrukturen(Berlin : Humboldt-Universität zu Berlin, 2015) Hilse, MariaDas Thema dieser Arbeit ist die Synthese von Ferromagnet-Halbleiter-Nanodraht-Strukturen in einer Kern-Hülle-Geometrie. Diese wird mittels Molekularstrahlepitaxie unter der Verwendung von GaAs und Fe3Si ausgeführt. Im Zentrum der Arbeit steht die Frage, ob sich mit derartigen Strukturen Magnetisierungen senkrecht zum Substrat realisieren lassen. Eine solche Konfiguration der Magnetisierung innerhalb bestimmter Strukturen ist wünschenswert, denn sie bildet die Grundlage einiger zukunftsweisender spintronischer Bauteilkonzepte. Aufgrund der Formanisotropie dünner Schichten ist diese Konfiguration der Magnetisierung in planaren Strukturen nur mit erheblichem Aufwand zu bewerkstelligen. Bildet sich hingegen in den Nanodraht-Hüllen eine Stabmagnetisierung aus, so führt dies direkt zur gewünschten senkrechten Magnetisierung. Im ersten Teil dieser Arbeit wird der Epitaxie-Prozess vorgestellt. Abhängig von den Wachstumsparametern können Hüllen mit glatten Seitenflachen, einer hohen Kristallordnung, ebenen Grenzflachen zum GaAs-Kern und epitaktischer Ausrichtung realisiert werden. Der zweite Teil behandelt die magnetischen Eigenschaften der Nanodrahte. Ensemble-Charakterisierungen sind hierbei in diesem Fall nicht geeignet. Einzeldraht-Messungen hingegen zeigen, dass sich in den Nanodraht-Hüllen wie erhofft eine Stabmagnetisierung ausbildet. Der dritte und letzte Teil dieser Dissertation umfasst die Einführung mehrerer zukunftsweisender Bauteilkonzepte, basierend auf den speziellen magnetischen Eigenschaften der hier vorgestellten Nanodrahte. Dazu gehören dreidimensionale Speicherarchitekturen mit bislang unerreichten Speicherkapazitäten und zirkular polarisiertes Licht emittierende Leuchtdioden für einen enorm schnellen Spininformations-Transfer zur Intrachip-Kommunikation.