Erforschung nanoelektronischer Höchstleistungs-Bauelemente für innovative Elektronik auf Basis neuer Materialsysteme - ForMikro-SiGeSn-NanoFETs; Kurzname: SiGeSn-NanoFETs; Teilvorhaben: Modellierung und Simulation von SiGeSn-NanoFETs und Herstellung lateraler SiGeSn-TFETs

dc.date.accessioned	2025-09-29T09:58:27Z
dc.date.available	2025-09-29T09:58:27Z
dc.date.issued	2024
dc.description.abstract	Datei-Upload durch TIB	ger
dc.description.version	publishedVersion
dc.identifier.uri	https://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/23665
dc.identifier.uri	https://doi.org/10.34657/22682
dc.language.iso	ger
dc.publisher	Hannover : Technische Informationsbibliothek
dc.relation.affiliation	Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen, Lehrstuhl für Halbleitertechnik und Institut für Halbleitertechnik (IHT)
dc.rights.license	Creative Commons Attribution-NonDerivs 3.0 Germany
dc.rights.uri	https://creativecommons.org/licenses/by-nd/3.0/de/
dc.subject.ddc	600
dc.title	Erforschung nanoelektronischer Höchstleistungs-Bauelemente für innovative Elektronik auf Basis neuer Materialsysteme - ForMikro-SiGeSn-NanoFETs; Kurzname: SiGeSn-NanoFETs; Teilvorhaben: Modellierung und Simulation von SiGeSn-NanoFETs und Herstellung lateraler SiGeSn-TFETs	ger
dc.title.subtitle	Abschlussbericht
dc.type	Report
dc.type	Text
dcterms.event.date	31.10.2019-31.03.2024
dcterms.extent	17 Seiten
dtf.funding.funder	BMFTR
dtf.funding.program	16ES1073K
dtf.funding.verbundnummer	01199882
tib.accessRights	openAccess

Files

Now showing 1 - 1 of 1