Technologie- und Verfahrensentwicklung zur Abscheidung von p-Siliziumkarbid nach dem Chemical Vapour Deposition (CVD)-Verfahren : Abschlußbericht

dc.contributor.authorWagner, Günther
dc.contributor.authorDoerschel, J.
dc.contributor.authorIrmscher, K.
dc.contributor.authorLeitenberger, W.
dc.contributor.authorLux, Krist B.
dc.contributor.authorRoßberg, M.
dc.date.accessioned2016-03-24T17:38:17Z
dc.date.available2019-06-28T07:29:10Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstract[no abstract available]eng
dc.description.versionpublishedVersioneng
dc.identifier.urihttps://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/1053
dc.language.isogereng
dc.publisherHannover : Technische Informationsbibliothek (TIB)eng
dc.relation.doihttps://doi.org/10.2314/GBV:391117289
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dc.subject.ddc620eng
dc.titleTechnologie- und Verfahrensentwicklung zur Abscheidung von p-Siliziumkarbid nach dem Chemical Vapour Deposition (CVD)-Verfahren : Abschlußberichteng
dc.typeReporteng
dc.typeTexteng
tib.accessRightsopenAccesseng
wgl.contributorIKZeng
wgl.subjectIngenieurwissenschafteneng
wgl.typeReport / Forschungsbericht / Arbeitspapiereng
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