Halbleiterschichtstrukturen für hocheffiziente spektral stabilisierte Laserstrahlquellen (HessLa) im Rahmen des Verbundprojektes: Verbesserung der spektralen Eigenschaften von Hochleistungsdiodenlasern (SpektraLas) : Schlussbericht ; SpektraLAS/HessLa ; Laufzeit des Vorhabens: 01.09.2008 - 28.02.2012

dc.contributor.authorErbert, G.
dc.contributor.authorCrump, P.
dc.contributor.authorSchulz, C.M.
dc.date.accessioned2016-03-24T17:37:42Z
dc.date.available2019-06-28T07:32:42Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstract[no abstract available]eng
dc.description.versionpublishedVersioneng
dc.identifier.urihttps://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/1563
dc.language.isogereng
dc.publisherHannover : Technische Informationsbibliothek (TIB)eng
dc.relation.doihttps://doi.org/10.2314/GBV:74606117X
dc.rights.licenseThis document may be downloaded, read, stored and printed for your own use within the limits of § 53 UrhG but it may not be distributed via the internet or passed on to external parties.eng
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dc.subject.ddc620eng
dc.titleHalbleiterschichtstrukturen für hocheffiziente spektral stabilisierte Laserstrahlquellen (HessLa) im Rahmen des Verbundprojektes: Verbesserung der spektralen Eigenschaften von Hochleistungsdiodenlasern (SpektraLas) : Schlussbericht ; SpektraLAS/HessLa ; Laufzeit des Vorhabens: 01.09.2008 - 28.02.2012eng
dc.typereporteng
dc.typeTexteng
tib.accessRightsopenAccesseng
wgl.contributorFBHeng
wgl.subjectIngenieurwissenschafteneng
wgl.typeReport / Forschungsbericht / Arbeitspapiereng
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