Verbundprojekt: YESvGaN - Vertical GaN on Silicon: Wide Band Gap Power at Silicon Cost; Schlussbericht zum Teilvorhaben: "Spezifikation, Simulation und Validierung der vertikalen GaN-on-Si Halbleiter"
| dc.date.accessioned | 2026-01-28T09:36:16Z | |
| dc.date.available | 2026-01-28T09:36:16Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.description.version | publishedVersion | |
| dc.identifier.uri | https://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/29708 | |
| dc.identifier.uri | https://doi.org/10.34657/28777 | |
| dc.language.iso | ger | |
| dc.publisher | Hannover : Technische Informationsbibliothek | |
| dc.relation.affiliation | Finepower GmbH | |
| dc.rights.license | Creative Commons Attribution-NonDerivs 3.0 Germany | |
| dc.rights.uri | https://creativecommons.org/licenses/by-nd/3.0/de/ | |
| dc.subject.ddc | 000 | Informatik, Information und Wissen, allgemeine Werke | |
| dc.title | Verbundprojekt: YESvGaN - Vertical GaN on Silicon: Wide Band Gap Power at Silicon Cost; Schlussbericht zum Teilvorhaben: "Spezifikation, Simulation und Validierung der vertikalen GaN-on-Si Halbleiter" | ger |
| dc.type | Report | |
| dcterms.extent | 21 Seiten | |
| dtf.duration | 01.05.2021-31.10.2024 | |
| dtf.funding.funder | BMFTR | |
| dtf.funding.program | 16MEE0181 | |
| dtf.funding.verbundnummer | 01233465 | |
| tib.accessRights | openAccess |
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