Technologie- und Epitaxieentwicklung von AlGaN/GaN HFETs: Materialgüte, innovative Prozesstechnologie und Zuverlässigkeit : Schlussbericht

dc.contributor.authorWürfl, J.
dc.contributor.authorBehtash, R.
dc.contributor.authorGesche, R.
dc.contributor.authorJanke, B.
dc.contributor.authorKlockenhoff, H.
dc.contributor.authorKrüger, O.
dc.contributor.authorLossy, R.
dc.contributor.authorChaturvedi, N.
dc.contributor.authorHeinrich, W.
dc.contributor.authorKnigge, St.
dc.contributor.authorLiero, A.
dc.contributor.authorMai, M.
dc.date.accessioned2016-03-24T17:38:49Z
dc.date.available2019-06-28T07:29:16Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstract[no abstract available]eng
dc.description.versionpublishedVersioneng
dc.identifier.urihttps://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/1094
dc.language.isogereng
dc.publisherHannover : Technische Informationsbibliothek (TIB)eng
dc.relation.doihttps://doi.org/10.2314/GBV:558320058
dc.rights.licenseThis document may be downloaded, read, stored and printed for your own use within the limits of § 53 UrhG but it may not be distributed via the internet or passed on to external parties.eng
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dc.subject.ddc620eng
dc.titleTechnologie- und Epitaxieentwicklung von AlGaN/GaN HFETs: Materialgüte, innovative Prozesstechnologie und Zuverlässigkeit : Schlussberichteng
dc.typeReporteng
dc.typeTexteng
tib.accessRightsopenAccesseng
wgl.contributorFBHeng
wgl.subjectIngenieurwissenschafteneng
wgl.typeReport / Forschungsbericht / Arbeitspapiereng
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