Förderschwerpunkt NOVALAS : Grundlegende Untersuchungen zur Technologie von Hochleistungsdiodenlasern, Teilvorhaben: Hochleistungsdiodenlaser auf der Basis von Al-freien Quantengräben und Wellenleitern im Wellenlängenbereich 800 - 1000 nm ; Schlussbericht

dc.contributor.authorErbert, G.
dc.contributor.authorBeister, G.
dc.contributor.authorBrade, P.
dc.contributor.authorFechner, I.
dc.contributor.authorFredrich, D.
dc.contributor.authorFricke, J.
dc.contributor.authorGielow, M.
dc.contributor.authorHülsewede, R.
dc.contributor.authorKlein, A.
dc.contributor.authorKrause, A.
dc.contributor.authorKnauer, A.
dc.contributor.authorMaege, J.
dc.contributor.authorPittroff, W.
dc.contributor.authorOlschewsky, R.
dc.contributor.authorRechenberg, I.
dc.contributor.authorRessel, P.
dc.contributor.authorSebastian, J.
dc.contributor.authorSelent, R.
dc.contributor.authorStaske, R.
dc.contributor.authorSchulze, H.
dc.contributor.authorSumpf, B
dc.contributor.authorTessaro, T.
dc.contributor.authorVogel, K.
dc.contributor.authorWenzel, H.
dc.contributor.authorWiechmann, S.
dc.contributor.authorWeyers, M.
dc.contributor.authorWürfel, J.
dc.contributor.authorWochatz, P.
dc.date.accessioned2016-03-24T17:38:49Z
dc.date.available2019-06-28T07:29:15Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstract[no abstract available]eng
dc.description.versionpublishedVersioneng
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.34657/4750
dc.identifier.urihttps://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/1089
dc.language.isogereng
dc.publisherBerlin : Ferdinand-Braun-Instituteng
dc.rights.licenseThis document may be downloaded, read, stored and printed for your own use within the limits of § 53 UrhG but it may not be distributed via the internet or passed on to external parties.eng
dc.rights.licenseDieses Dokument darf im Rahmen von § 53 UrhG zum eigenen Gebrauch kostenfrei heruntergeladen, gelesen, gespeichert und ausgedruckt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden.ger
dc.subject.ddc620eng
dc.titleFörderschwerpunkt NOVALAS : Grundlegende Untersuchungen zur Technologie von Hochleistungsdiodenlasern, Teilvorhaben: Hochleistungsdiodenlaser auf der Basis von Al-freien Quantengräben und Wellenleitern im Wellenlängenbereich 800 - 1000 nm ; Schlussberichteng
dc.typereporteng
dc.typeTexteng
tib.accessRightsopenAccesseng
wgl.contributorFBHeng
wgl.subjectIngenieurwissenschafteneng
wgl.typeReport / Forschungsbericht / Arbeitspapiereng
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