Förderschwerpunkt: Wide Band Gap-Halbleiter, Teilvorhaben: GaN-Hochfrequenzelektronik : Abschlussbericht

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dc.contributor.authorWürfl, J.
dc.contributor.authorChaturvedi, N.
dc.contributor.authorHeymann, P.
dc.contributor.authorJanke, B.
dc.contributor.authorKlockenhoff, H.
dc.contributor.authorLossy, R.
dc.contributor.authorSchnieder, F.
dc.contributor.authorWolter, P.
dc.contributor.authorHamma, G.
dc.contributor.authorIckert, K.
dc.contributor.authorJohn, W.
dc.contributor.authorLiero, A.
dc.contributor.authorMai, M.
dc.contributor.authorWittrich, H.
dc.date.accessioned2016-03-24T17:38:49Z
dc.date.available2019-06-28T07:29:15Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstract[no abstract available]eng
dc.description.versionpublishedVersioneng
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.34657/4751
dc.identifier.urihttps://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/1090
dc.language.isogereng
dc.publisherHannover : Technische Informationsbibliothek (TIB)eng
dc.relation.doihttps://doi.org/10.2314/GBV:37475991X
dc.rights.licenseThis document may be downloaded, read, stored and printed for your own use within the limits of § 53 UrhG but it may not be distributed via the internet or passed on to external parties.eng
dc.rights.licenseDieses Dokument darf im Rahmen von § 53 UrhG zum eigenen Gebrauch kostenfrei heruntergeladen, gelesen, gespeichert und ausgedruckt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden.ger
dc.subject.ddc620eng
dc.titleFörderschwerpunkt: Wide Band Gap-Halbleiter, Teilvorhaben: GaN-Hochfrequenzelektronik : Abschlussberichteng
dc.typeReporteng
dc.typeTexteng
tib.accessRightsopenAccesseng
wgl.contributorFBHeng
wgl.subjectIngenieurwissenschafteneng
wgl.typeReport / Forschungsbericht / Arbeitspapiereng
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