Entwicklung eines VCz-Züchtungsverfahrens für 150 mm SI GaAs-Kristalle : Schlußbericht ; Kurztitel: 150 mm GaAs-VCz Kristalle

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dc.contributor.authorNeubert, Michael
dc.contributor.authorCzupalla, M.
dc.contributor.authorFischer, J.
dc.contributor.authorHojnacki, A.
dc.contributor.authorLange, R.-P.
dc.contributor.authorPilatzek, M.
dc.contributor.authorFrank-Rotsch, Christiane
dc.contributor.authorKupfer, U.
dc.contributor.authorNaumann, M.
dc.contributor.authorPietsch, M.
dc.contributor.authorRudolph, P.
dc.date.accessioned2016-03-24T17:38:55Z
dc.date.available2019-06-28T07:29:31Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstract[no abstract available]eng
dc.description.versionpublishedVersioneng
dc.identifier.urihttps://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/1154
dc.language.isogereng
dc.publisherHannover : Technische Informationsbibliothek (TIB)eng
dc.relation.doihttps://doi.org/10.2314/GBV:374770336
dc.rights.licenseThis document may be downloaded, read, stored and printed for your own use within the limits of § 53 UrhG but it may not be distributed via the internet or passed on to external parties.eng
dc.rights.licenseDieses Dokument darf im Rahmen von § 53 UrhG zum eigenen Gebrauch kostenfrei heruntergeladen, gelesen, gespeichert und ausgedruckt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden.ger
dc.subjectGaAseng
dc.subject150 mm diametereng
dc.subjectVCz crystal growtheng
dc.subjectdislocation densityeng
dc.subject.ddc620eng
dc.titleEntwicklung eines VCz-Züchtungsverfahrens für 150 mm SI GaAs-Kristalle : Schlußbericht ; Kurztitel: 150 mm GaAs-VCz Kristalleeng
dc.typereporteng
dc.typeTexteng
tib.accessRightsopenAccesseng
wgl.contributorIKZeng
wgl.subjectIngenieurwissenschafteneng
wgl.subjectPhysikeng
wgl.typeReport / Forschungsbericht / Arbeitspapiereng
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