ForMikro-SiGeSn-NanoFETs; Teilvorhaben: MBE-basierte Herstellung von SiGeSn-Halbleiterstrukturen und vertikalen SiGeSn-GAA-TFETs
| dc.date.accessioned | 2025-12-17T14:27:48Z | |
| dc.date.available | 2025-12-17T14:27:48Z | |
| dc.date.issued | 2024 | |
| dc.description.abstract | Datei-Upload durch TIB | ger |
| dc.description.version | publishedVersion | |
| dc.identifier.uri | https://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/27840 | |
| dc.identifier.uri | https://doi.org/10.34657/27070 | |
| dc.language.iso | ger | |
| dc.publisher | Hannover : Technische Informationsbibliothek | |
| dc.relation.affiliation | Universität Stuttgart, Institut für Halbleitertechnik | |
| dc.rights.license | Creative Commons Attribution-NonDerivs 3.0 Germany | |
| dc.rights.uri | https://creativecommons.org/licenses/by-nd/3.0/de/ | |
| dc.subject.ddc | 000 | Informatik, Information und Wissen, allgemeine Werke | |
| dc.title | ForMikro-SiGeSn-NanoFETs; Teilvorhaben: MBE-basierte Herstellung von SiGeSn-Halbleiterstrukturen und vertikalen SiGeSn-GAA-TFETs | ger |
| dc.title.subtitle | Schlussbericht des IHT zum Verbundprojekt: ForMikro-SiGeSn-NanoFETs | |
| dc.type | Report | |
| dc.type | Text | |
| dcterms.event.date | 01.01.2020-31.03.2024 | |
| dcterms.extent | 24 Seiten | |
| dtf.funding.funder | BMFTR | |
| dtf.funding.program | 16ES1076 | |
| dtf.funding.verbundnummer | 01199882 | |
| tib.accessRights | openAccess |
Files
Original bundle
1 - 1 of 1