Das Nachwachsen von Silikasteinen in Abhängigkeit von der Druckbelastung und der Aufheizgeschwindigkeit

dc.bibliographicCitation.firstPage96
dc.bibliographicCitation.journalTitleGlastechnische Berichte
dc.bibliographicCitation.lastPage101
dc.bibliographicCitation.volume43
dc.contributor.authorSchwiete, Hans-Ernst
dc.contributor.authorKonopicky, Kamillo
dc.date.accessioned2024-08-29T13:26:40Z
dc.date.available2024-08-29T13:26:40Z
dc.date.issued1970
dc.description.abstractWährend Silikasteine mit geringem Restquarzgehalt (< 10%) als gut umgewandelte Steine bei 2 kp/cm2 Belastung keine Nachdehnung erkennen lassen und auch unbelastet ein Nachdehnen in vertretbarem Rahmen ( < 1%) beobachtet wird, können Steine mit z. B. 43%) Restquarz Nachdehnungen von 4% erreichen. Ein Vergleich der Belastung von 0, 2, 4, 6 und 8 kp/cm2 bestätigt, daß ein direkter Zusammenhang zwischen Nachdehnung und Belastung besteht. Für höhere Restquarzgehalte nimmt die Nachdehnung mit steigender Belastung ab. Für einen Stein mit 1% Restquarz wird keine Nachdehnung beobachtet, dafür aber ein mit steigender Belastung bei tieferen Temperaturen bis 1 100 °C herab eintretendes Fließen (Deformation). Bei geringeren Belastungen sind ausgeprägte Unterschiede in der Fließtemperatur vorhanden. Neben der Belastung ist die Aufheizgeschwindigkeit für das Ausmaß des Nachwachsens bestimmend. Zur Sicherstellung des thermischen Gleichgewichts im Probekörper ist die maximale Aufheizgeschwindigkeit auf 4 grd/min begrenzt. Untersuchungen mit Aufheizgeschwindigkeiten von 5,1 und 0,33 grd/min zeigen, daß die Nachdehnung auch bei hohem Quarzgehalt durch langsames Aufheizen reduziert werden kann.ger
dc.description.versionpublishedVersion
dc.identifier.urihttps://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/15583
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.34657/14605
dc.language.isoger
dc.publisherOffenbach : Verlag der Deutschen Glastechnischen Gesellschaft
dc.relation.issn0017-1085
dc.rights.licenseCC BY 3.0 DE
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/3.0/de/
dc.subject.ddc660
dc.titleDas Nachwachsen von Silikasteinen in Abhängigkeit von der Druckbelastung und der Aufheizgeschwindigkeitger
dc.typeArticle
dc.typeText
tib.accessRightsopenAccess
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