Neuartige ferroelektrischer Speicher für die Elektronik des autonomen Fahrens - FerroDrive -; KMU-innovativ: Elektronik und autonomes Fahren; High Performance Computing des Bundesministeriums für Bildung und Forschung (BMBF)

Abstract

Die Ferroelectric Memory GmbH (Dresden) ist ein junges Unternehmen, dass sich zum Ziel gesetzt hat, nicht-flüchtige (non-volatile) Speicher auf Basis von Hafniumoxid zur Marktreife zu bringen und in Speicherprodukten zu vermarkten. Zwar gibt es bereits ferroelektrische Speicher als Produkt, jedoch basieren diese üblicherweise auf perowskitartigen Materialien, die mit üblichen Halbleiterprozessen nicht kompatibel sind und deren Skalierung zu Strukturgrößen <100nm kaum möglich ist. Hafniumoxid hingegen ist in der Produktion von Logik und Speichern (SRAM, DRAM etc.) als high-k Material im Einsatz. Durch Anpassung seiner Kristallphase kann es genutzt werden, um daraus nichtflüchtige Speicher herstellen zu können. Da dabei auch der erforderliche Schreib- und Lesemodus angepasst werden muss, ergibt sich ein neues Zelllayout und eine Anpassung der Betriebsmodi. Gesamtziel des Projektes war es, FMCs neuartige ferroelektrische Speichertechnologie für den Einsatz bei einem Halbleiterfertiger weiterzuentwickeln und grundlegende Zuverlässigkeitsmechanismen zu erforschen, mit dem Ziel nachzuweisen, dass diese Speicher für Anwendungen des autonomen Fahrens prinzipiell einsetzbar sind. Die Zuverlässigkeit der ferroelektrischen Speicherelemente sollte im Rahmen des Projektes maßgeblich verbessert werden, um praxistaugliche Anwendungen zu ermöglichen. Schließlich sollte das Potential der Speichertechnologie für Anwendungen des autonomen Fahrens demonstriert werden.