YESvGaN - Vertical GaN on Silicon: Wide Band Gap Power at Silicon Cost

dc.contributor.authorHuber, Christian
dc.date.accessioned2026-01-30T09:30:08Z
dc.date.available2026-01-30T09:30:08Z
dc.date.issued2024
dc.description.abstractDatei-Upload durch TIBger
dc.description.versionpublishedVersion
dc.identifier.urihttps://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/29873
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.34657/28942
dc.language.isoger
dc.publisherHannover : Technische Informationsbibliothek
dc.relation.affiliationRobert Bosch GmbH
dc.rights.licenseCreative Commons Attribution-NonDerivs 3.0 Germany
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nd/3.0/de/
dc.subject.ddc000 | Informatik, Information und Wissen, allgemeine Werke
dc.titleYESvGaN - Vertical GaN on Silicon: Wide Band Gap Power at Silicon Costger
dc.title.alternativeYESVGAN – Abschlussberichtger
dc.title.subtitleTeilvorhaben: Beitrag der Robert Bosch GmbH zum Gesamtprojekt: Chiptechnologie sowie Aufbau- und Verbindungstechnik für vertikale GaN on Si Membranleistungstransistoren
dc.typeReport
dcterms.event.date01.05.21-31.10.24
dcterms.extent23 Seiten
dtf.funding.funderBMFTR
dtf.funding.program16MEE0177K
dtf.funding.verbundnummer01233465
tib.accessRightsopenAccess

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