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- ItemTechnologie- und Epitaxieentwicklung von AlGaN/GaN HFETs: Materialgüte, innovative Prozesstechnologie und Zuverlässigkeit : Schlussbericht(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2007) Würfl, J.; Behtash, R.; Gesche, R.; Janke, B.; Klockenhoff, H.; Krüger, O.; Lossy, R.; Chaturvedi, N.; Heinrich, W.; Knigge, St.; Liero, A.; Mai, M.[no abstract available]
- ItemFörderschwerpunkt: Wide Band Gap-Halbleiter, Teilvorhaben: GaN-Hochfrequenzelektronik : Abschlussbericht(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2003) Würfl, J.; Chaturvedi, N.; Heymann, P.; Janke, B.; Klockenhoff, H.; Lossy, R.; Schnieder, F.; Wolter, P.; Hamma, G.; Ickert, K.; John, W.; Liero, A.; Mai, M.; Wittrich, H.[no abstract available]
- ItemGaN-Epitaxie, Prozesstechnologie und Aufbautechnik : Abschlussbericht ; Wachstumskern Berlin WideBaSe, Verbundprojekt 7: Hocheffiziente Leistungs-Mikrowellenverstärker und Oszillatoren, Teilprojekt 7.3: GaN-Epitaxie, Prozesstechnologie und Aufbautechnik ; Berichtslaufzeit: 01.07.2010 bis 31.12.2013(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2013) Lossy, R.[no abstract available]