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- ItemControl of the emission wavelength of gallium nitride-based nanowire light-emitting diodes(Berlin : Humboldt-Universität zu Berlin, 2013) Wölz, MartinHalbleiter-Nanosäulen (auch -Nanodrähte) werden als Baustein für Leuchtdioden (LEDs) untersucht. Herkömmliche LEDs aus Galliumnitrid (GaN) bestehen aus mehreren Kristallschichten auf einkristallinen Substraten. Ihr Leistungsvermögen wird durch Gitterfehlpassung und dadurch hervorgerufene Verspannung, piezoelektrische Felder und Kristallfehler beschränkt. GaN-Nanosäulen können ohne Kristallfehler auf Fremdsubstraten gezüchtet werden. Verspannung wird in Nanosäulen elastisch an der Oberfläche abgebaut, dadurch werden Kristallfehler und piezoelektrische Felder reduziert. In dieser Arbeit wurden GaN-Nanosäulen durch Molukularstrahlepitaxie katalysatorfrei gezüchtet. Eine Machbarkeitsstudie über das Kristallwachstum von Halbleiter-Nanosäulen auf Metall zeigt, dass GaN-Nanosäulen in hoher Kristallqualität ohne einkristallines Substrat epitaktisch auf Titanschichten gezüchtet werden können. Für das Wachstum axialer (In,Ga)N/GaN Heterostrukturen in Nanosäulen wurden quantitative Modelle entwickelt. Die erfolgreiche Herstellung von Nanosäulen-LEDs auf Silizium-Wafern zeigt, dass dadurch eine Kontrolle der Emissionswellenlänge erreicht wird. Die Gitterverspannung der Heterostrukturen in Nanosäulen ist ungleichmäßig aufgrund des Spannungsabbaus an den Seitenwänden. Das katalysatorfreie Zuchtverfahren führt zu weiteren statistischen Schwankungen der Nanosäulendurchmesser und der Abschnittlängen. Die entstandene Zusammensetzung und Verspannung des (In,Ga)N-Mischkristalls wird durch Röntgenbeugung und resonant angeregte Ramanspektroskopie ermittelt. Infolge der Ungleichmäßigkeiten erfordert die Auswertung genaue Simulationsrechnungen. Eine einfache Näherung der mittleren Verspannung einzelner Abschnitte kann aus den genauen Rechnungen abgeleitet werden. Gezielte Verspannungseinstellung erfolgt durch die Wahl der Abschnittlängen. Die Wirksamkeit dieses allgemeingültigen Verfahrens wird durch die Bestimmung der Verspannung von (In,Ga)N-Abschnitten in GaN-Nanosäulen gezeigt.
- ItemAnwendung des in-beam PET Therapiemonitorings auf Präzisionsbestrahlungen mit Helium-Ionen(Dresden : Forschungszentrum Dresden-Rossendorf, 2008) Fiedler, Fine[no abstract available]
- ItemIn-situ transmission electron microscopy on high-temperature phase transitions of Ge-Sb-Te alloys(Berlin : Humboldt-Universität zu Berlin, 2018) Berlin, KatjaDas Hochtemperaturverhalten beeinflusst viele verschiedene Prozesse von der Materialherstellung bis hin zur technologischen Anwendung. In-situ Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) bietet die Möglichkeit, die atomaren Prozesse während struktureller Phasenübergänge direkt und in Realzeit zu beobachten. In dieser Arbeit wurde in-situ TEM angewendet, um die Reversibilität des Schmelz- und Kristallisationsprozesses, sowie das anisotropen Sublimationsverhaltens von Ge-Sb-Te (GST) Dünnschichten zu untersuchen. Die gezielte Probenpräparation für die erfolgreiche Beobachtung der Hochtemperatur-Phasenübergänge wird hervorgehoben. Die notwendige Einkapselung für die Beobachtung der Flüssigphase unter Vakuumbedingungen und die erforderliche sauberer Oberfläche für den Sublimationsprozess werden detailliert beschrieben. Außerdem wird die Elektronenenergieverlustspektroskopie eingesetzt um die lokale chemische Zusammensetzung vor und nach den Übergängen zu bestimmen. Die Untersuchung der Grenzflächenstruktur und Dynamik sowohl beim Phasenübergang fest-flüssig als auch flüssig-fest zeigt Unterschiede zwischen den beiden Vorgängen. Die trigonale Phase von GST weist beim Schmelzen eine teilweise geordnete Übergangszone an der fest-flüssig-Grenzfläche auf, während ein solcher Zwischenzustand bei der Erstarrung nicht entsteht. Außerdem läuft der Schmelzvorgang zeitlich linear ab, während die Kristallisation durch eine Wurzelabhängigkeit von der Zeit mit überlagerter Start-Stopp-Bewegung beschrieben werden kann. Der Einfluss der Substrat-Grenzfläche wird diskutiert und die Oberflächenenergie von GST bestimmt. Die anisotrope Dynamik führt beim Phasenübergang fest-gasförmig der kubischen Phase von GST zur Ausbildung stabiler {111} Facetten. Dies erfolgt über die Bildung von Kinken und Stufen auf stabilen Terrassen. Die Keimbildungsrate und die bevorzugten Keimbildungsorte der Kinken wurden identifiziert und stimmen mit den Voraussagen des Terrassen-Stufen-Kinken Modells überein.
- ItemPhase separation in carbon : transition metal nanocomposite thin films(Dresden : Forschungszentrum Dresden-Rossendorf, 2009) Berndt, Markus[no abstract available]
- ItemSynthesis of biphasic Al/Al2O3 nanostructures under microgravity and laser structuring on Al/Al2O3 surfaces for selective cell guidance(Saarbrücken : Universität des Saarlandes, 2013) Lee, JuseokThe first part of this thesis is dealing with gravity effect on the synthesis of biphasic core/shell Al/Al2O3 composites. By chemical vapor deposition of the precursor [tBuOAlH2]2 at 400°C, only spherical nanoparticles were observed on the substrate surface. The formation of nanowires was observed at 600°C. It is a good agreement with our previous results on earth condition and there is no gravity impact on the chemical reaction. At increased gravity levels, the nanoparticles formed large clusters and the nanowires showed bundle formation while the nanowires at microgravity have predominantly linear structures. It is proposed that the chaotic nature of nanowires and cluster formation of nanoparticles were caused by a dominance of gravity over the thermal creep. In the second part the use of Al/Al2O3 nanowire layers for bio applications is considered. Contact cell guidance and alignment were studied to understand how cells recognize and respond to certain surface patterns. Linear micro channels were created on Al/Al2O3 layer by direct laser writing and laser interference patterning. Although surface topography was altered, the surface chemistry was always identical (Al2O3) due to the unique core/shell nature of Al/Al2O3 nanowires. Human osteoblast, normal human dermal fibroblast and neuronal cells were cultured and investigated. The results indicate that different cell types show diverse responses to the topography independent from the surface chemistry of the material.
- ItemPrecision spectroscopy with a frequency-comb-calibrated solar spectrograph(Freiburg : Universität Freiburg, 2015) Doerr, Hans-PeterThe measurement of the velocity field of the plasma at the solar surface is a standard diagnostic tool in observational solar physics. Detailed information about the energy transport as well as on the stratification of temperature, pressure and magnetic fields in the solar atmosphere are encoded in Doppler shifts and in the precise shape of the spectral lines. The available instruments deliver data of excellent quality and precision. However, absolute wavelength calibration in solar spectroscopy was so far mostly limited to indirect methods and in general suffers from large systematic uncertainties of the order of 100 m/s. During the course of this thesis, a novel wavelength calibration system based on a laser frequency comb was deployed to the solar Vacuum Tower Telescope (VTT), Tenerife, with the goal of enabling highly accurate solar wavelength measurements at the level of 1 m/s on an absolute scale. The frequency comb was developed in a collaboration between the Kiepenheuer-Institute for Solar Physics, Freiburg, Germany and the Max Planck Institute for Quantum Optics, Garching, Germany. The efforts cumulated in the new prototype instrument LARS (Lars is an Absolute Reference Spectrograph) for solar precision spectroscopy which is in preliminary scientific operation since~2013. The instrument is based on the high-resolution echelle spectrograph of the VTT for which feed optics based on single-mode optical fibres were developed for this project. The setup routinely achieves an absolute calibration accuracy of 60 cm/s and a repeatability of 2.5 cm/s. An unprecedented repeatability of only 0.32 cm/s could be demonstrated with a differential calibration scheme. In combination with the high spectral resolving power of the spectrograph of 7x10^5 and virtually absent internal scattered light, LARS provides a spectral purity and fidelity that previously was the domain of Fourier-transform spectrometers only. The instrument therefore provides unique capabilities for precision spectroscopy of the Sun and laboratory light sources. The first scientific observations aimed at measuring the accurate wavelengths of selected solar Fraunhofer lines to characterise the so-called convective blue shift and its centre to limb variation. The convective blueshifts were derived with respect to laboratory wavelengths that were obtained from spectral lamps measured with the same instrument. The measurements agree with previous studies but provide a way higher accuracy. The data is only partially compatible with numerical simulations that were published recently. Further measurements were carried out to provide the absolute wavelengths of telluric O2 lines that are commonly used for wavelength calibration. With an accuracy of 1 m/s, these new measurements are two orders of magnitude better than existing data.
- ItemFast digitizing and digital signal processing of detector signals(Dresden : Forschungszentrum Dresden-Rossendorf, 2009) Hannaske, Roland[no abstract available]
- ItemElectron tomography and microscopy on semiconductor heterostructures(Berlin : Humboldt-Universität zu Berlin, 2016) Niehle, MichaelElektronentomographie erlaubt die dreidimensionale (3D) Charakterisierung von Kristalldefekten auf der Nanometerskala. Die Anwendung in der Forschung an epitaktischen Halbleiterheterostrukturen ist bisher nicht durchgesetzt worden, obwohl kleiner werdende Bauteile mit zunehmend dreidimensionaler Struktur entsprechende Untersuchungen verlangen, um die Beziehung von Struktur und physikalischen Eigenschaften in entsprechenden Materialsystemen zu verstehen. Die vorliegende Arbeit demonstriert die konsequente Anwendung der Elektronentomographie auf eine III-Sb basierte Laser- und eine 3D (In,Ga)N/GaN Nanosäulenheterostruktur. Die unerlässliche Zielpräparation von Proben mittels FIB-SEM-Zweistrahlmikroskops wird herausgestellt. Die kontrollierte Orientierung der Probe während der Präparation und die sorfältige Auswahl eines Abbildungsverfahrens im STEM werden detailliert beschrieben. Die umfassende räumliche Mikrostrukturanalyse einer antimonidbasierten Schichtstruktur folgt der Dimensionalität von Kristalldefekten. Die Facettierung und Lage einer Pore (3D Defekt), deren Auftreten in der MBE gewachsenen GaSb-Schicht untypisch ist, werden bestimmt. Das Zusammenspiel von anfänglich abgeschiedenen AlSb-Inseln auf dem Si-Substrat, der Ausbildung eines Fehlversetzungsnetzwerkes an der Grenzfläche der Heterostruktur (2D Defekt) und dem Auftreten von Durchstoßversetzungen wird mit Hilfe der Kombination tomographischer und komplementärer TEM-/STEM-Ergebnisse untersucht. Die räumliche Anordnung von Versetzungen (1D Defekte), die das ganze Schichtsystem durchziehen, wird mit Elektronentomographie offenbart. Die Wechselwirkung dieser Versetzungen mit Antiphasengrenzen und anderen Liniendefekten sind ein einzigartiges Ergebnis der Elektronentomographie. Abschließend sind Unterschiede im Indiumgehalt und in der Schichtdicke von (In,Ga)N-Einschlüssen auf verschiedenen Facetten schief aufgewachsener GaN-Nanosäulen einmalig per Elektronentomographie herausgearbeitet worden.
- ItemEpitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices(Berlin : Humboldt-Universität zu Berlin, 2017) Wang, Rui NingDie epitaktische Wachstum von GeTe Dünnschichten und Sb2Te3/GeTe Übergittern durch Molekularstrahlepitaxie wird auf drei verschiedenen Silizium Oberflächen gezeigt: Si(111)−(7×7), Si(111)−(√3×√3)R30°−Sb, und Si(111)−(1×1)−H. Mit Röntgenstrukturanalyse wird bewiesen, dass die epitaktische Beziehung der GeTe Schicht von der Oberflächepassievierung abhängig ist; auf einer passivierten Fläche können verdrehte Domänen unterdrückt sein. Dieses Verhalten ähnelt dem, welches bei 2D Materialien zu erwarten wäre, und wird auf die Schwäche der Resonanten ungebundenen Zustände zurückgeführt, die durch Peierls Verzerrung noch schwächer werden.
- ItemWechselwirkung langsamer hochgeladener Ionen mit der Oberfläche von Ionenkristallen(Dresden : Forschungszentrum Dresden-Rossendorf, 2009) Heller, René[no abstract available]