2020, Karim, Marwa, Lopes, Joao Marcelo J., Ramsteiner, Manfred

We utilized excitation in the ultraviolet (UV) spectral range for the study of hexagonal boron nitride (h-BN) thin films on different substrates by Raman spectroscopy. Whereas UV excitation offers fundamental advantages for the investigation of h-BN and heterostructures with graphene, the actual Raman spectra recorded under ambient conditions reveal a temporal decay of the signal intensity. The disappearance of the Raman signal is found to be induced by thermally activated chemical reactions with ambient molecules at the h-BN surface. The chemical reactions could be strongly suppressed under vacuum conditions which, however, favor the formation of a carbonaceous surface contamination layer. For the improvement of the signal-to-noise ratio under ambient conditions, we propose a line-scan method for the acquisition of UV Raman spectra in atomically thin h-BN, a material which is expected to play a key role in future technologies based on 2D van der Waals heterostructures. © 2020 The Authors. Journal of Raman Spectroscopy published by John Wiley & Sons Ltd

2018, Nakhaie, Siamak

Zweidimensionale (2D) Materialien bieten eine Vielzahl von neuartigen Eigenschaften und sind aussichtsreich Kandidaten für ein breites Spektrum an Anwendungen. Da hexagonales Bornitrid (h-BN) für eine Integration in Heterostrukturen mit anderen 2D Materialien geeignet ist, erweckte dieses in letzter Zeit großes Interesse. Insbesondere van-der-Waals-Heterostrukturen, welche h-BN und Graphen verbinden, weisen viele potenzielle Vorteile auf, verbleiben in ihrer großflächigen Herstellung von kontinuierlichen Filmen allerdings problematisch. Diese Dissertation stellt eine Untersuchung betreffend des Wachstums von h-BN und vertikalen Heterostrukturen von Graphen und h-BN auf Ni-Substraten durch Molekularstrahlepitaxie (MBE) vor. Zuerst wurde das Wachstum von h-BN mittels elementarer B- und N-Quellen auf Ni als Wachstumssubstrat untersucht. Kristalline h-BN-Schichten konnten durch Raman-spektroskopie nachgewiesen werden. Wachstumsparameter für kontinuierliche und atomar dünne Schichten wurden erlangt. Das Keimbildungs- und Wachstumsverhalten so wie die strukturelle Güte von h-BN wurden mittels einer systemischen Veränderung der Wachstumstemperatur und -dauer untersucht. Die entsprechenden Beobachtungen wie der Änderungen der bevorzugten Keimbildungszentren, der Kristallgröße und der Bedeckung des h-BN wurden diskutiert. Ein Wachstum von großflächigen vertikalen h-BN/Graphen Heterostrukturen (h-BN auf Graphen) konnte mittels einem neuartigen, MBE-basierenden Verfahren demonstriert werden, welche es h-BN und Graphen jeweils erlaubt sich in der vorteilhaften Wachstumsumgebung, welche von Ni bereitgestellt wird, zu formen. In diesem Verfahren formt sich Graphen an der Schnittstelle von h-BN und Ni durch Präzipitation von zuvor in der Ni-Schicht eingebrachten C-Atomen. Schließlich konnte noch ein großflächiges Wachstum von Graphen/h-BN-Heterostrukturen (Graphen auf h-BN) durch das direkte abscheiden von C auf MBE-gewachsenen h-BN gezeigt werden.