MBE von kristallinen Gate-Dielektrika und Grenzflächen-Engineering : Schlussbericht zum Teilprojekt innerhalb des bmb+f Verbundprojektes "Kristalline Gate-Stacks für sub 100nm CMOS-Transistoren auf FD-SOI" - KrisMOS

dc.contributor.authorBraun, Wolfgang
dc.date.accessioned2016-03-24T17:37:59Z
dc.date.available2019-06-28T12:38:09Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstract[no abstract available]eng
dc.description.versionpublishedVersioneng
dc.identifier.urihttps://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/3918
dc.language.isogereng
dc.publisherHannover : Technische Informationsbibliothek (TIB)eng
dc.relation.doihttps://doi.org/10.2314/GBV:530682826
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dc.subject.ddc530eng
dc.titleMBE von kristallinen Gate-Dielektrika und Grenzflächen-Engineering : Schlussbericht zum Teilprojekt innerhalb des bmb+f Verbundprojektes "Kristalline Gate-Stacks für sub 100nm CMOS-Transistoren auf FD-SOI" - KrisMOSeng
dc.typeReporteng
dc.typeTexteng
tib.accessRightsopenAccesseng
wgl.contributorPDIeng
wgl.subjectPhysikeng
wgl.typeReport / Forschungsbericht / Arbeitspapiereng

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