Das binäre Teilsystem BaO ∙ 2SiO2 - 2BaO ∙ 3SiO2

dc.bibliographicCitation.firstPage	194
dc.bibliographicCitation.journalTitle	Glastechnische Berichte
dc.bibliographicCitation.lastPage	204
dc.bibliographicCitation.volume	44
dc.contributor.author	Oehlschlegel, Georg
dc.date.accessioned	2024-08-29T12:26:45Z
dc.date.available	2024-08-29T12:26:45Z
dc.date.issued	1971
dc.description.abstract	Ein erweitertes Phasendiagramm des Teilsystems BaO ∙ 2 SiO2 - 2 BaO ∙ 3 SiO2 wird in Zusammenhang mit abweichenden Literaturdaten diskutiert. Die Verbindungen Hoch- und Tief-BaSi2O5, Ba3Si5O13, Hoch- und Tief-Ba5Si8O21 und Hoch- und Tief-Ba2Si3O8 werden durch Gitterkonstanten, Raumgruppe, Röntgenpulverdiagramme und Wärmeausdehnung charakterisiert. Ba3Si5O13 ist nur oberhalb 1300 °C stabil, Ba5Si8O21 zeigt eine reversible Umwandlung bei 1085 °C, Ba2Si3O8 eine reversible Umwandlung bei 1009 °C. Eine Mischkristallbildung der Phasen bei höheren Temperaturen wird an Hand der Ergebnisse von Gitterkonstantenverfeinerungen nicht für wahrscheinlich gehalten.	ger
dc.description.version	publishedVersion
dc.identifier.uri	https://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/15524
dc.identifier.uri	https://doi.org/10.34657/14546
dc.language.iso	ger
dc.publisher	Offenbach : Verlag der Deutschen Glastechnischen Gesellschaft
dc.relation.issn	0017-1085
dc.rights.license	CC BY 3.0 DE
dc.rights.uri	https://creativecommons.org/licenses/by/3.0/de/
dc.subject.ddc	660
dc.title	Das binäre Teilsystem BaO ∙ 2SiO2 - 2BaO ∙ 3SiO2	ger
dc.type	Article
dc.type	Text
tib.accessRights	openAccess

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