Grundlegende Untersuchungen zur Herstellung perfekter, N-dotierter 4H-SiC-Einkristalle hoher Leitfähigkeit und zum Dotierungseinfluss auf den Waferingprozess : Abschlussbericht
Loading...
Date
2003
Volume
Issue
Journal
Series Titel
Book Title
Publisher
Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB)
Link to publishers version
Abstract
[no abstract available]
Description
Keywords
Citation
Siche, D., Rost, H.-J., Schulz, D., Wollweber, J., Freiberg, A., Schäbitz, K., et al. (2003). Grundlegende Untersuchungen zur Herstellung perfekter, N-dotierter 4H-SiC-Einkristalle hoher Leitfähigkeit und zum Dotierungseinfluss auf den Waferingprozess : Abschlussbericht. Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB). https://doi.org//10.2314/GBV:374757682
Collections
License
This document may be downloaded, read, stored and printed for your own use within the limits of § 53 UrhG but it may not be distributed via the internet or passed on to external parties.
Dieses Dokument darf im Rahmen von § 53 UrhG zum eigenen Gebrauch kostenfrei heruntergeladen, gelesen, gespeichert und ausgedruckt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden.
Dieses Dokument darf im Rahmen von § 53 UrhG zum eigenen Gebrauch kostenfrei heruntergeladen, gelesen, gespeichert und ausgedruckt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden.