Grundlegende Untersuchungen zur Herstellung perfekter, N-dotierter 4H-SiC-Einkristalle hoher Leitfähigkeit und zum Dotierungseinfluss auf den Waferingprozess : Abschlussbericht

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dc.contributor.authorSiche, D.
dc.contributor.authorRost, H.-J.
dc.contributor.authorSchulz, D.
dc.contributor.authorWollweber, J.
dc.contributor.authorFreiberg, A.
dc.contributor.authorSchäbitz, K.
dc.contributor.authorLux, B.
dc.contributor.authorWurche, T.
dc.contributor.authorBöttcher, K.
dc.contributor.authorDoerschel, J.
dc.contributor.authorIrmscher, K.
dc.contributor.authorAlex, V.
dc.contributor.authorWagner, G.
dc.date.accessioned2016-03-24T17:38:52Z
dc.date.available2019-06-28T07:29:25Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstract[no abstract available]eng
dc.description.versionpublishedVersioneng
dc.identifier.urihttps://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/1126
dc.language.isogereng
dc.publisherHannover : Technische Informationsbibliothek (TIB)eng
dc.relation.doihttps://doi.org/10.2314/GBV:374757682
dc.rights.licenseThis document may be downloaded, read, stored and printed for your own use within the limits of § 53 UrhG but it may not be distributed via the internet or passed on to external parties.eng
dc.rights.licenseDieses Dokument darf im Rahmen von § 53 UrhG zum eigenen Gebrauch kostenfrei heruntergeladen, gelesen, gespeichert und ausgedruckt, aber nicht im Internet bereitgestellt oder an Außenstehende weitergegeben werden.ger
dc.subject.ddc620eng
dc.titleGrundlegende Untersuchungen zur Herstellung perfekter, N-dotierter 4H-SiC-Einkristalle hoher Leitfähigkeit und zum Dotierungseinfluss auf den Waferingprozess : Abschlussberichteng
dc.typereporteng
dc.typeTexteng
tib.accessRightsopenAccesseng
wgl.contributorIKZeng
wgl.subjectIngenieurwissenschafteneng
wgl.typeReport / Forschungsbericht / Arbeitspapiereng
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