Verbundprojekt: Neuartige Prozesstechnologie für hocheffiziente und vielseitig einsetzbare Leistungstransistoren (YESvGaN); Teilvorhaben: Rückseiten Chiptechnologie für vertikale GaN on Si Membranleistungstransistoren

Abstract

Ziel des Projektes war die Entwicklung einer Prozesstechnologie für die Herstellung von GaN-basierten vertikalen Membran-Leistungstransistoren in einer massenproduktionstauglichen Fertigungslinie auf 200 mm Wafern. Die X-FAB Global Service GmbH beschäftigte sich mit neu zu entwickelnden Prozessmodulen für die rückseitige Kontaktierung der in den unteren III-V Epitaxieschichten vergrabenen Drainschicht des vertikalen planar-Gate GaN Transistors. Ausgangspunkt waren dabei vorderseitig prozessierte Wafer aus der X-FAB Dresden. Forschungsschwerpunkte der XGS waren zunächst geeignete Technologien

zur Abdünnung der Wafer (ggf. in Kooperation mit Projektpartnern) zur lokalen Entfernung des Siliziumsubstrates unter Berücksichtigung bzw. Kompensation der mechanischen Verspannungen der Scheiben, zur Herstellung einer elektrischen Drainkontaktierung sowie der Rückseitenmetallisierung.

Auf dieser Basis sollte es ermöglicht werden, einen Foundry-Prozess zur Fertigung vertikaler GaN-Leistungstransistoren zu entwickeln.