Reaktionsverhalten und Glasbildung in binären und ternären Sulfid-Oxyd-Systemen

dc.bibliographicCitation.firstPage302
dc.bibliographicCitation.journalTitleGlastechnische Berichte
dc.bibliographicCitation.lastPage311
dc.bibliographicCitation.volume31
dc.contributor.authorKröger, Carl
dc.contributor.authorBlömer, J. Johannes
dc.date.accessioned2025-01-10T13:38:53Z
dc.date.available2025-01-10T13:38:53Z
dc.date.issued1958
dc.description.abstractIn den binären Systemen Na₂S-SiO₂, Na₂S-B₂O₃, Na₂S-As₂O₃, Na₂S₂-As₂O₃ wurden die Glasbildungsbereiche und ihr Lösungsvermögen für Kalk bestimmt. Die im System Na₂S-SiO₂ auftretenden Einschmelzverluste sind durch eine Bildung von Siliciumdisulfid bedingt, die Drucke dieser Reaktion wurden gemessen. Durch Messung des Röntgenverhaltens und der Einschmelzwärmen konnte gezeigt werden, dass in den Gläsern dieser Systeme echte Thiosilikate bzw. -Borate vorliegen. Im System Na₂S-As₂O₃ bilden sich kristalline Thioverbindungen.ger
dc.description.versionpublishedVersion
dc.identifier.urihttps://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/17738
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.34657/16758
dc.language.isoger
dc.publisherOffenbach : Verlag der Deutschen Glastechnischen Gesellschaft
dc.relation.issn0017-1085
dc.rights.licenseCC BY 3.0 DE
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/3.0/de/
dc.subject.ddc660
dc.titleReaktionsverhalten und Glasbildung in binären und ternären Sulfid-Oxyd-Systemenger
dc.typeArticle
dc.typeText
tib.accessRightsopenAccess
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