GaN Dioden und selbstsperrende GaN Schalttransistoren für effiziente Leistungswandler (GaN Powerswitch) : Verbundprojekt Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotentiale (PowerGaNPlus) ; im BMBF Verbundvorhaben Leistungselektronik zur Energieeffizienz-Steigerung (LES) ; Laufzeit des Vorhabens: 1.06.2010 bis 31.05.2013
dc.contributor.author | Hilt, Oliver | |
dc.date.accessioned | 2016-04-30T05:40:21Z | |
dc.date.available | 2019-06-28T07:32:45Z | |
dc.date.issued | 2014 | |
dc.description.abstract | Es wurden GaN-basierte laterale Dioden mit geringer Einsatzspannung und intrinsisch selbstsperrende Transistoren für den Einsatz in Schaltkonvertern realisiert. Transisorergebnisse: - Basierend auf dem p-GaN-Gate Modul wurden selbstsperrende 100 m / 600 V Transistoren mit 1 V Einsatzspannung realisiert. - Durch den Einsatz eines eisendotierten GaN-Puffers konnte die Erhöhung des dynamischen Einschaltwiderstands für das 250 V Schalten auf den Faktor 2.6 reduziert werden. - Die Schaltverluste sind kleiner als für Si-basierte Superjunction MOSFETs. Diodenergebnisse: - Durch die Entwicklung des zurückgesetzten Anodenkontaktes konnten 300 m / 600 V Dioden mit 0.5 V Einsatzspannung realisiert werden. - Die Schaltverluste sind so klein wie bei SiC-basierten HV-Schottkydioden. - Die Dioden wurden erfolgreich im Boost-Konverter (Systemdemonstrator) der Uni Erlangen eingesetzt. | eng |
dc.description.abstract | GaN-based lateral diodes with low onset voltage and intrinsically normally-off transistors for the use in switch-mode power converters have been realized. Results for the transistors: - Normally-off 100 m / 600 V transistors with 1 V threshold voltage have been realized by using a p-GaN gate module. - The increase in dynamic on-state resistance for 250 V switching was reduced to a factor 2.6 by introducing an iron-doped GaN buffer. - The switching losses are smaller than for Si-based superjunction MOSFETs Results for the diodes: - 300 m / 600 V Schottky diodes with 0.5 V onset voltage have been realized by developing the recessed anode contact. - The switching losses are as small as for SiC-based high voltage Schottky diodes. - The diodes have successfully been used in the boost converter of Erlangen university (system demonstrator). | eng |
dc.description.version | publishedVersion | eng |
dc.identifier.uri | https://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/1566 | |
dc.language.iso | ger | eng |
dc.publisher | Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB) | eng |
dc.relation.doi | https://doi.org/10.2314/GBV:798846046 | |
dc.rights.license | This document may be downloaded, read, stored and printed for your own use within the limits of § 53 UrhG but it may not be distributed via the internet or passed on to external parties. | eng |
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dc.subject | GaN | eng |
dc.subject | Transistor | eng |
dc.subject | Diode | eng |
dc.subject | Schaltkonverter | eng |
dc.subject | Schalttransistor | eng |
dc.subject | Schottkydiode | eng |
dc.subject | Leistungselektronik | eng |
dc.subject | GaN | eng |
dc.subject | transistor | eng |
dc.subject | switch mode converter | eng |
dc.subject | switching transistor | eng |
dc.subject | Schottky diode | eng |
dc.subject | power electronic | eng |
dc.subject.ddc | 620 | eng |
dc.title | GaN Dioden und selbstsperrende GaN Schalttransistoren für effiziente Leistungswandler (GaN Powerswitch) : Verbundprojekt Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotentiale (PowerGaNPlus) ; im BMBF Verbundvorhaben Leistungselektronik zur Energieeffizienz-Steigerung (LES) ; Laufzeit des Vorhabens: 1.06.2010 bis 31.05.2013 | eng |
dc.type | report | eng |
dc.type | Text | eng |
tib.accessRights | openAccess | eng |
wgl.contributor | FBH | eng |
wgl.subject | Ingenieurwissenschaften | eng |
wgl.type | Report / Forschungsbericht / Arbeitspapier | eng |
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