GaN Dioden und selbstsperrende GaN Schalttransistoren für effiziente Leistungswandler (GaN Powerswitch) : Verbundprojekt Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotentiale (PowerGaNPlus) ; im BMBF Verbundvorhaben Leistungselektronik zur Energieeffizienz-Steigerung (LES) ; Laufzeit des Vorhabens: 1.06.2010 bis 31.05.2013

dc.contributor.authorHilt, Oliver
dc.date.accessioned2016-04-30T05:40:21Z
dc.date.available2019-06-28T07:32:45Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractEs wurden GaN-basierte laterale Dioden mit geringer Einsatzspannung und intrinsisch selbstsperrende Transistoren für den Einsatz in Schaltkonvertern realisiert. Transisorergebnisse: - Basierend auf dem p-GaN-Gate Modul wurden selbstsperrende 100 m / 600 V Transistoren mit 1 V Einsatzspannung realisiert. - Durch den Einsatz eines eisendotierten GaN-Puffers konnte die Erhöhung des dynamischen Einschaltwiderstands für das 250 V Schalten auf den Faktor 2.6 reduziert werden. - Die Schaltverluste sind kleiner als für Si-basierte Superjunction MOSFETs. Diodenergebnisse: - Durch die Entwicklung des zurückgesetzten Anodenkontaktes konnten 300 m / 600 V Dioden mit 0.5 V Einsatzspannung realisiert werden. - Die Schaltverluste sind so klein wie bei SiC-basierten HV-Schottkydioden. - Die Dioden wurden erfolgreich im Boost-Konverter (Systemdemonstrator) der Uni Erlangen eingesetzt.eng
dc.description.abstractGaN-based lateral diodes with low onset voltage and intrinsically normally-off transistors for the use in switch-mode power converters have been realized. Results for the transistors: - Normally-off 100 m / 600 V transistors with 1 V threshold voltage have been realized by using a p-GaN gate module. - The increase in dynamic on-state resistance for 250 V switching was reduced to a factor 2.6 by introducing an iron-doped GaN buffer. - The switching losses are smaller than for Si-based superjunction MOSFETs Results for the diodes: - 300 m / 600 V Schottky diodes with 0.5 V onset voltage have been realized by developing the recessed anode contact. - The switching losses are as small as for SiC-based high voltage Schottky diodes. - The diodes have successfully been used in the boost converter of Erlangen university (system demonstrator).eng
dc.description.versionpublishedVersioneng
dc.identifier.urihttps://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/1566
dc.language.isogereng
dc.publisherHannover : Technische Informationsbibliothek (TIB)eng
dc.relation.doihttps://doi.org/10.2314/GBV:798846046
dc.rights.licenseThis document may be downloaded, read, stored and printed for your own use within the limits of § 53 UrhG but it may not be distributed via the internet or passed on to external parties.eng
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dc.subjectGaNeng
dc.subjectTransistoreng
dc.subjectDiodeeng
dc.subjectSchaltkonvertereng
dc.subjectSchalttransistoreng
dc.subjectSchottkydiodeeng
dc.subjectLeistungselektronikeng
dc.subjectGaNeng
dc.subjecttransistoreng
dc.subjectswitch mode convertereng
dc.subjectswitching transistoreng
dc.subjectSchottky diodeeng
dc.subjectpower electroniceng
dc.subject.ddc620eng
dc.titleGaN Dioden und selbstsperrende GaN Schalttransistoren für effiziente Leistungswandler (GaN Powerswitch) : Verbundprojekt Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotentiale (PowerGaNPlus) ; im BMBF Verbundvorhaben Leistungselektronik zur Energieeffizienz-Steigerung (LES) ; Laufzeit des Vorhabens: 1.06.2010 bis 31.05.2013eng
dc.typereporteng
dc.typeTexteng
tib.accessRightsopenAccesseng
wgl.contributorFBHeng
wgl.subjectIngenieurwissenschafteneng
wgl.typeReport / Forschungsbericht / Arbeitspapiereng
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