Netzwerkfehler in kristallinischem und glasigem SiO₂

dc.bibliographicCitation.firstPage307
dc.bibliographicCitation.journalTitleGlastechnische Berichte
dc.bibliographicCitation.lastPage313
dc.bibliographicCitation.volume32
dc.contributor.authorStevens, J. M.
dc.date.accessioned2025-01-10T14:07:33Z
dc.date.available2025-01-10T14:07:33Z
dc.date.issued1959
dc.description.abstractKristallinisches und glasiges SiO₂ enthalten praktisch immer Netzwerkfehler. Deren Konzentrationen sind aber oft so klein, dass sie mit chemisch-analytischen Methoden kaum nachgewiesen werden können. Es gibt Netzwerkfehler, die man ihrer Natur wegen überhaupt nicht auf diesem Wege nachweisen kann. Mit modernen physikalischen Methoden (dielektrischen Verlustmessungen bei niedrigen Temperaturen, paramagnetische Resonanzmessungen und optische Messungen) kann man nicht nur etwas über die Konzentrationen, sondern auch über die Art der Netzwerkfehler erkennnen. Durch Vergleich der Netzwerkfehler vor und nach Bestrahlung mit elektromagnetischen Wellen (kurzwelligem U. V., Röntgen- oder γ-Strahlung) oder Neutronen kann man sich eine Vorstellung machen, welche "Reaktionen" diese Strahlungen in kristallinischem und glasigem SiO₂ zustandebringen.ger
dc.description.versionpublishedVersion
dc.identifier.urihttps://oa.tib.eu/renate/handle/123456789/17796
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.34657/16816
dc.language.isoger
dc.publisherOffenbach : Verlag der Deutschen Glastechnischen Gesellschaft
dc.relation.issn0017-1085
dc.rights.licenseCC BY 3.0 DE
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/3.0/de/
dc.subject.ddc660
dc.titleNetzwerkfehler in kristallinischem und glasigem SiO₂ger
dc.typeArticle
dc.typeText
tib.accessRightsopenAccess
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