Abbau von SiO₂-Schlieren in Gläsern durch Diffusion und Strömung

Abstract

Es wird eine Methode beschrieben, die gestattet, die Diffusionskoeffizienten von SiO₂-Schlieren im Glas auch bei hohen Temperaturen mit großer Genauigkeit zu bestimmen. Von einem Tafelglas werden die zwischen 1000 und 1400 °C errechneten Diffusionskoeffizienten von SiO₂-Schlieren mitgeteilt. Am Beispiel der Oberflächenströmung in einer Tafelglaswanne wird gezeigt, wie groß der Konzentrationsabbau von SiO₂-Schlieren bei gleichzeitiger Einwirkung von Strömung und Diffusion ist.