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- ItemKohärente Strahlquelle für die optische Freiraumkommunikation auf der Basis von hybrid integrierten Diodenlasern und Halbleiterlaser-Verstärkern : Abschlussbericht(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2012) Tränkle, G.; Erbert, G.; Wicht, A.; Spiessberger, S.[no abstract available]
- ItemMehr-Sektions DBR-Laser mit einstellbarem sättigbarem Absorber zur Erzeugung kurzer Impulse mit hoher Leistung und geringem Chirp für die Frei-Raum Kommunikation : Abschlussbericht ; Berichtszeitraum: 15.4.2000 - 30.6.2004(Berlin : Ferdinand-Braun-Institut, 2004) Hasler, Karl Heinz; Wenzel, Hans; Klehr, Andreas; Knauer, Arne; Fricke, Jörg; Janke, Bernd; Erbert, Götz; Schwertfeger, Sven[no abstract available]
- ItemErforschung und Realisierung von innovativen hybridintegrierten Diodenlaser-Komponenten und Systemen (INDILAS), Teilvorhaben: Halbleiterkomponenten zur Erzeugung von definierten optischen ps-Impulsfolgen hoher Brillanz auf der Basis modengekoppelter Laser (KomodLa) : InDiLAS/KoModLa ; Schlussbericht ; Laufzeit des Vorhabens: 01.06.2009 - 31.05.2012(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2012) Erbert, G.; Klehr, A.; Schwertfeger, S.; Wenzel, H.; Liero, A.; Hoffmann, T.[no abstract available]
- ItemEntwicklung von Epitaxieprozessen und Prozessierungsschritten für UV-C und VUV-Photodetektoren : Projekt-Abschlussbericht ; Projekt FBH 9256 ; Wachstumskern Berlin WideBaSe ; Verbundprojekt 2: Bestrahlungsfester AlGaN-Photodetektor für den UV-C und VUV-Spektralbereich, Teilprojekt 2.C: Entwicklung von Epitaxieprozessen und Prozessierungsschritten für UV-C und VUV-Photodetektoren ; Projektlaufzeit: 01.07.2010 bis 31.06.2013(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2013) Weyers, Markus; Knigge, A.[no abstract available]
- ItemGaN-Epitaxie, Prozesstechnologie und Aufbautechnik : Abschlussbericht ; Wachstumskern Berlin WideBaSe, Verbundprojekt 7: Hocheffiziente Leistungs-Mikrowellenverstärker und Oszillatoren, Teilprojekt 7.3: GaN-Epitaxie, Prozesstechnologie und Aufbautechnik ; Berichtslaufzeit: 01.07.2010 bis 31.12.2013(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2013) Lossy, R.[no abstract available]
- ItemModeling of current spreading in high-power broad-area lasers and its impact on the lateral far field divergence(Berlin : Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik, 2018) Zeghuzi, Anissa; Radziunas, Mindaugas; Wenzel, Hans; Wünsche, Hans-Jürgen; Bandelow, Uwe; Knigge, AndreaThe effect of current spreading on the lateral farfield divergence of highpower broadarea lasers is investigated with a timedependent model using different descriptions for the injection of carriers into the active region. Most simulation tools simply assume a spatially constant injection current density below the contact stripe and a vanishing current density beside. Within the driftdiffusion approach, however, the injected current density is obtained from the gradient of the quasiFermi potential of the holes, which solves a Laplace equation in the pdoped region if recombination is neglected. We compare an approximate solution of the Laplace equation with the exact solution and show that for the exact solution the highest farfield divergence is obtained. We conclude that an advanced modeling of the profiles of the injection current densities is necessary for a correct description of farfield blooming in broadarea lasers.
- ItemMode transitions in distributed-feedback tapered master-oscillator power-amplifier(Berlin : Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik, 2008) Radziunas, Mindaugas; Tronciu, Vasile Z.; Bandelow, Uwe; Lichtner, Mark; Spreemann, Martin; Wenzel, HansTheoretical and experimental investigations have been carried out to study the spectral and spatial behavior of monolithically integrated distributed-feedback tapered master-oscillators power-amplifiers emitting around 973 nm. Introduction of self and cross heating effects and the analysis of longitudinal optical modes allows us to explain experimental results. The results show a good qualitative agreement between measured and calculated characteristics.
- ItemHalbleiterschichtstrukturen für hocheffiziente spektral stabilisierte Laserstrahlquellen (HessLa) im Rahmen des Verbundprojektes: Verbesserung der spektralen Eigenschaften von Hochleistungsdiodenlasern (SpektraLas) : Schlussbericht ; SpektraLAS/HessLa ; Laufzeit des Vorhabens: 01.09.2008 - 28.02.2012(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2012) Erbert, G.; Crump, P.; Schulz, C.M.[no abstract available]
- ItemDurchstimmbarer-Mikrosystem-Diodenlaser - DuMiDiL : Abschlussbericht(Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB), 2012) Sumpf, Bernd; Staske, Ralf; Bawamia, Ahmad; Ginolas, Armin; Blume, Gunnar[no abstract available]
- Item2D layered transport properties from topological insulator Bi2Se3 single crystals and micro flakes(London : Nature Publishing Group, 2016) Chiatti, Olivio; Riha, Christian; Lawrenz, Dominic; Busch, Marco; Dusari, Srujana; Sánchez-Barriga, Jaime; Mogilatenko, Anna; Yashina, Lada V.; Valencia, Sergio; Ünal, Akin A.; Rader, Oliver; Fischer, Saskia F.Low-field magnetotransport measurements of topological insulators such as Bi2Se3 are important for revealing the nature of topological surface states by quantum corrections to the conductivity, such as weak-antilocalization. Recently, a rich variety of high-field magnetotransport properties in the regime of high electron densities (∼1019 cm−3) were reported, which can be related to additional two-dimensional layered conductivity, hampering the identification of the topological surface states. Here, we report that quantum corrections to the electronic conduction are dominated by the surface states for a semiconducting case, which can be analyzed by the Hikami-Larkin-Nagaoka model for two coupled surfaces in the case of strong spin-orbit interaction. However, in the metallic-like case this analysis fails and additional two-dimensional contributions need to be accounted for. Shubnikov-de Haas oscillations and quantized Hall resistance prove as strong indications for the two-dimensional layered metallic behavior. Temperature-dependent magnetotransport properties of high-quality Bi2Se3 single crystalline exfoliated macro and micro flakes are combined with high resolution transmission electron microscopy and energy-dispersive x-ray spectroscopy, confirming the structure and stoichiometry. Angle-resolved photoemission spectroscopy proves a single-Dirac-cone surface state and a well-defined bulk band gap in topological insulating state. Spatially resolved core-level photoelectron microscopy demonstrates the surface stability.